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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	diode SiC/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	584A
Boîtier	SP6C
Topologie	demi point MOSFET + diodes parallèles, thermistor NTC
Montage électrique	FASTON connecteurs, vissés
Résistance en état de conduction	3,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	1400A
Puissance de dissipation	2,97kW
La technologie	SiC
Montage mécanique	vissés

MSCSM120AM027CT6AG

Module; diode SiC/transistor; 1,2kV; 584A; SP6C; Idm: 1400A; 2,97kW

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque