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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de diode	TVS
Puissance dispercée dans l'impulsion max.	3kW
Tension inverse max.	40V
Tension de claquage	46,8V
Courant d'impulsion max.	46,4A
Construction de semi-conducteur	bidirectionnelle
Tolérance	±5%
Boîtier	DO214AB
Montage	SMD
courant de fuite	2µA

MSMLJ40CAE3

Diode: TVS; 3kW; 46,8V; 46,4A; bidirectionnelle; ±5%; DO214AB

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque