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Fabricant	VISHAY
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-60V
Courant du drain	-5,3A
Courant du drain dans l'impulsion	-21A
Puissance de dissipation	5W
Boîtier	TSOP6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	178mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	22nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY - Transistor P-MOSFET

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -5,3A; 5W

Marque du fabricant:
SQ3427EV-T1_GE3

Référence TME:
SQ3427EV-T1-GE3

Spécification

SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY - Transistor P-MOSFET

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -5,3A; 5W

Marque du fabricant: SQ3427EV-T1_GE3

Référence TME: SQ3427EV-T1-GE3

Spécification

Marque du fabricant:
SQ3427EV-T1_GE3

Référence TME:
SQ3427EV-T1-GE3