STGP30H65DFB2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGP30H65DFB2
Référence TME:
STGP30H65DFB2
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 30A | |
Puissance de dissipation | 167W | |
Boîtier | TO220AB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 90A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 90nC | |
Genre de la emballage | tube |
Poids brut2 g
Certificates
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* STGP30H65DFB2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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