STARPOWER SEMICONDUCTOR in der Kategorie Diskrete Halbleitermodule
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 40A
Kennzeichnung des Herstellers: GD40PIY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 81.31 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 81.31 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 71.91 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 71.91 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 64.61 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 64.61 USD
8 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
Kennzeichnung des Herstellers: GD15PJY120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 40.60 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 40.60 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 35.84 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 35.84 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 32.25 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 32.25 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 30.04 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 30.04 USD
24 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 35.15 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 35.15 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 31.08 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 31.08 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 27.95 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 27.95 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 26.10 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 26.10 USD
19 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A
Kennzeichnung des Herstellers: GD35PJY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 58.34 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 58.34 USD
Nettopreis für Mengen von 4 st - 51.50 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 51.50 USD
Nettopreis für Mengen von 16 st - 46.28 USDBruttopreis für Mengen von 16 st - 46.28 USD
11 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
Kennzeichnung des Herstellers: GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 37.47 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 37.47 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 33.17 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 33.17 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 29.81 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 29.81 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 27.72 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 27.72 USD
16 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A
Kennzeichnung des Herstellers: GD35PJY120F5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 25 st - 44.89 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 44.89 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 25)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1700V
Kennzeichnung des Herstellers: GD450HFX170C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 190.21 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 190.21 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 10)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1700V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 135.70 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 135.70 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A
Kennzeichnung des Herstellers: GD50FFY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 87.57 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 87.57 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 77.36 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 77.36 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 69.48 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 69.48 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 120.62 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 120.62 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD200HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 131.06 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 131.06 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 115.75 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 115.75 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 103.92 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 103.92 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 98.70 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 98.70 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 32.13 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 32.13 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 28.42 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 28.42 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 25.52 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 25.52 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 23.78 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 23.78 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Kennzeichnung des Herstellers: GD20PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 40.01 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 40.01 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 35.26 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 35.26 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 31.67 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 31.67 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 29.58 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 29.58 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD400HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 126.42 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 126.42 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 12)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD75HFY120C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 49.76 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 49.76 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 43.96 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 43.96 USD
Nettopreis für Mengen von 12 st - 39.55 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 39.55 USD
Nettopreis für Mengen von 24 st - 36.89 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 36.89 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A
Kennzeichnung des Herstellers: GD10PJY120F4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 37.93 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 37.93 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 33.52 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 33.52 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 30.16 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 30.16 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 28.07 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 28.07 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
Kennzeichnung des Herstellers: GD15PJY120F4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 43.03 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 43.03 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 38.04 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 38.04 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 34.10 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 34.10 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 31.90 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 31.90 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Kennzeichnung des Herstellers: GD20PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 1 st - 40.60 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 40.60 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 35.96 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 35.96 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 32.25 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 32.25 USD
Nettopreis für Mengen von 25 st - 30.16 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 30.16 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V
Kennzeichnung des Herstellers: GD300HFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 109.14 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 109.14 USD
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 10)