APTC80H29T3G
Modul; Transistor/Transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC80H29T3G
Symbol TME:
APTC80H29T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 800V | |
Drainstrom | 11A | |
Gehäuse | SP3 | |
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,29Ω | |
Drainstrom im Impuls | 60A | |
Verlustleistung | 156W | |
Technologie | SJ-MOSFET | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTC80H29T3GAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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