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MUN5313DW1T1G

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,komplementäres Paar; 50V

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
MUN5313DW1T1G
Symbol TME:
MUN5313DW1T1G

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
NPN / PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
BRT, komplementäres Paar
Kollektor-Emitter-Spannung
50V
Kollektor-Emitter-Strom
0,1A
Verlustleistung
0,187W
Gehäuse
SC70-6, SC88, SOT363
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Basis-Widerstand
47kΩ
Basis-Emitter-Widerstand
22kΩ
Bruttogewicht0.016 g
Zertifikate

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Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st