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NSV40302PDR2G

Transistor: NPN / PNP; bipolar; komplementäres Paar; 40V; 3A; SO8

Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NSV40302PDR2G
Symbol TME:
NSV40302PDR2G

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
NPN / PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
komplementäres Paar
Kollektor-Emitter-Spannung
40V
Kollektor-Emitter-Strom
3A
Verlustleistung
0,576W
Gehäuse
SO8
Transistorverstärkung
200
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Frequenz
100MHz
Anwendung
Automobilbranche
Bruttogewicht0.2 g
Zertifikate
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NSV40302PDR2G
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