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SBC847BPDW1T1G

Transistor: NPN / PNP; bipolar; komplementäres Paar; 45V; 0,1A

Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
SBC847BPDW1T1G
Symbol TME:
SBC847BPDW1T1G

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
NPN / PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
komplementäres Paar
Kollektor-Emitter-Spannung
45V
Kollektor-Emitter-Strom
0,1A
Verlustleistung
0,38W
Gehäuse
SC70-6, SC88, SOT363
Transistorverstärkung
200...475
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Frequenz
100MHz
Anwendung
Automobilbranche
Bruttogewicht0.013 g
Zertifikate

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SBC847BPDW1T1G
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Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st