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UMC3NT1G

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,komplementäres Paar; 50V

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
UMC3NT1G
Symbol TME:
UMC3NT1G

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
NPN / PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
BRT, komplementäres Paar
Kollektor-Emitter-Spannung
50V
Kollektor-Emitter-Strom
0,1A
Verlustleistung
0,15W
Gehäuse
SC88A, SOT353
Transistorverstärkung
35...60
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Struktur des Halbleiters
gemeinsamer Basis-Kollektor
Basis-Widerstand
10/10kΩ
Basis-Emitter-Widerstand
10/10kΩ
Bruttogewicht0.013 g
Zertifikate

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UMC3NT1G
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Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st