Tranzistoare VISHAY MOSFET

Tranzistoare VISHAY MOSFET, 2N7002E-T1-GE3, 2N7002K-T1-E3, 2N7002K-T1-GE3, 2N7002-T1-E3 |RO|
Simbol Indicativul producătorului Producător Polarizare Subtip canal Tranzistor Uds Id Idm Rds(on) Putere disipată Ugs QG Carcasă Montare Ambalaj Subtip tranzistor Caracteristici Grosime radiator Tehnologie Utilizare Versiune Structura
[V] [A] [A] [Ω] [W] [V] [nC] [mm]
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 0,24 1,3 3 0,22 ±20 0,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 0,19 0,8 2 0,14 ±20 0,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 0,115 0,8 13,5 0,08 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5 20 540m 43 ±20 8,3 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 6,5 37 270m 60 ±20 16 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF530STRLPBF IRF530STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF530STRRPBF IRF530STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 28 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 28 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF610LPBF IRF610LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF620SPBF IRF620SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF620STRLPBF IRF620STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF620STRRPBF IRF620STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,7 36 400m 74 ±20 43 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF634STRLPBF IRF634STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 125 ±20 70 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 125 ±20 70 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF710SPBF IRF710SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,2 6 3,6 36 ±20 17 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF720LPBF IRF720LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,3 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF720SPBF IRF720SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF720STRRPBF IRF720STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2,1 13 1,8 50 ±20 20 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF730APBF IRF730APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 5,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 - 1 74 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF730SPBF IRF730SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 - 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF730STRLPBF IRF730STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF730STRRPBF IRF730STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF740ASTRRPBF IRF740ASTRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 36 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 39 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF820ALPBF IRF820ALPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 10 3 50 ±30 17 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF820LPBF IRF820LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 - - - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF820SPBF IRF820SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF820STRLPBF IRF820STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,5 8 3 50 ±20 24 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5 20 1,4 74 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,3 10 1,5 104 ±30 20 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF830LPBF IRF830LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 4,5 - - - ±20 38 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840LCSPBF IRF840LCSPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF840LCSTRRPBF IRF840LCSTRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±20 39 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRF840LPBF IRF840LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9510STRLPBF IRF9510STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9510STRRPBF IRF9510STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4 -16 1,2 43 ±20 8,7 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9520STRRPBF IRF9520STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -12 - 300m 88 ±20 - TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9530STRRPBF IRF9530STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9540STRRPBF IRF9540STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 61 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9610SPBF IRF9610SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9610STRRPBF IRF9610STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1 -7 3 20 ±20 11 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 22 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9620SPBF IRF9620SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 22 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2 -14 1,5 40 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 29 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9630STRRPBF IRF9630STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9640LPBF IRF9640LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9640SPBF IRF9640SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9Z14LPBF IRF9Z14LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,7 - 500m 43 ±20 - I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRF9Z14PBF IRF9Z14PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9Z14STRLPBF IRF9Z14STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,7 -27 500m 43 ±20 12 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z14STRRPBF IRF9Z14STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -4,7 -27 500m 43 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -9,7 -39 280m 40 ±20 26 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 19 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z24STRRPBF IRF9Z24STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -18 -60 140m 74 ±20 39 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRF9Z34STRRPBF IRF9Z34STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -18 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 7 - 520m 170 ±30 52 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 11 - 520m 170 ±20 52 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFB13N50APBF IRFB13N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 14 56 450m 250 ±30 81 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5,8 - 750m 170 ±30 49 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBC20SPBF IRFBC20SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 10 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBC20STRLPBF IRFBC20STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBC30ALPBF IRFBC30ALPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRFBC30APBF IRFBC30APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBC30SPBF IRFBC30SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±20 31 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBC30STRLPBF IRFBC30STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,6 14 2,2 74 ±20 31 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBC40ASTRRPBF IRFBC40ASTRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±30 39 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBC40LPBF IRFBC40LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 6,2 - 1,2 - ±20 - I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 125 ±20 60 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,8 7,2 6,5 54 ±20 38 TO220AB THT tub - - 1,14...1,4 - - - -
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRFBF20PBF IRFBF20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBF30 IRFBF30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 2,3 - 3,7 125 ±20 78 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBF30STRLPBF IRFBF30STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 3,6 14 3,7 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 1,4 5,6 11 54 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBG20PBF-BE3 IRFBG20PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 1,4 5,6 11 54 ±20 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 2 - 5 125 ±20 80 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 3,1 - 5 125 ±20 80 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFD113PBF IRFD113PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 0,8 6,4 800m 1 ±20 7 HVMDIP THT tub - - - - - - -
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,5 18 540m 27 ±20 8,3 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI520GPBF IRFI520GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,1 - 270m 37 ±20 16 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI530GPBF IRFI530GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 6,9 - 160m 42 ±20 33 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 12 - 77m 48 ±20 72 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI620GPBF IRFI620GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 4,1 16 800m 30 ±20 14 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,7 - 400m 35 ±20 43 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI634GPBF IRFI634GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,6 22 450m 35 ±20 41 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 9,8 39 180m 40 ±20 70 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5 - 280m 40 ±20 68 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI720GPBF IRFI720GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2,6 10 1,8 30 ±20 20 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI730GPBF IRFI730GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,7 15 1 35 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 5,7 23 550m 40 ±30 39 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,4 - 550m 40 ±20 66 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2 - 1,5 35 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 - 850m 40 ±30 39 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 - 850m 40 ±20 67 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 - 600m 37 ±20 18 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -5,4 - 300m 42 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -7,6 - 200m 48 ±20 61 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2 -8 3 27 ±20 13 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9620GPBF IRFI9620GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -3 -12 1,5 30 ±20 15 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,7 - 800m 35 ±20 29 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -2,6 - 1 35 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -3,9 - 500m 40 ±20 44 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9Z14GPBF IRFI9Z14GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,3 -21 500m 27 ±20 12 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9Z24GPBF IRFI9Z24GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 8,5 -34 280m 37 ±20 19 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8,5 - 140m 42 ±20 34 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,5 - 750m 60 ±30 49 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 6,6 44 520m 60 ±30 52 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIBC20GPBF IRFIBC20GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,1 - 4,4 30 ±20 18 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,6 - 2,2 35 ±20 31 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIBC40GLCPBF IRFIBC40GLCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2,2 14 1,2 40 ±20 39 TO220-3 THT - - - - - - - -
IRFIBE20GPBF IRFIBE20GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,4 5,6 6,5 30 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,4 - 3 35 ±20 78 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 0,79 - 8 30 ±20 38 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIBF30GPBF IRFIBF30GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,2 - 3,7 35 ±20 78 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIZ14GPBF IRFIZ14GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 8 32 200m 27 ±20 11 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 14 56 100m 37 ±20 25 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIZ44GPBF IRFIZ44GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 30 120 28m 48 ±20 95 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 26 - 18m 50 ±20 110 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±20 11 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±20 11 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,96 12 540m 3,1 ±20 8,3 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,96 12 540m 3,1 ±20 8,3 SOT223 SMD - - - - - - - -
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 12 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL9014TRPBF-BE3 IRFL9014TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 12 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 8,7 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 8,7 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFP048PBF IRFP048PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 70 290 18m 190 ±20 110 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 70 290 18m 190 ±20 110 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 64 - 14m 230 ±20 160 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 70 - 9m 300 ±20 190 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 22 - 77m 180 ±20 72 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 29 - 55m 230 ±20 140 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 16 64 320m 220 ±30 130 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 84 320m 330 ±30 150 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 14 - 230m 277 ±30 120 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 22 88 280m 370 ±30 150 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 12 - 180m 150 ±20 70 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 9,7 - 280m 150 ±20 63 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 19 - 850m 190 ±20 140 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 23 92 140m 190 ±20 140 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 29 - 55m 280 ±20 230 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 24 - 75m 280 ±20 210 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP26N60LPBF IRFP26N60LPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 100 250m 470 ±30 180 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP350LCPBF IRFP350LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 10 64 300m 190 ±30 76 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP350PBF IRFP350PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 10 - 300m 190 ±20 150 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP360PBF IRFP360PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 14 - 200m 280 ±20 210 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,6 - 850m 150 ±20 63 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP448PBF IRFP448PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 11 44 600m 180 ±20 84 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP450APBF IRFP450APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 8,7 - 400m 190 ±30 64 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 8,6 - 400m 190 ±30 74 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 8,7 - 400m 190 ±20 150 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 13 - 270m 280 ±30 105 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 12 - 270m 280 ±30 120 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 13 - 270m 280 ±20 210 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -15 - 200m 180 ±20 61 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -7,5 - 500m 150 ±20 44 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC40PBF IRFPC40PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 4,3 - 1,2 150 ±20 60 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC50APBF IRFPC50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 11 44 580m 180 ±30 70 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC50LCPBF IRFPC50LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 11 44 600m 190 ±30 84 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 - 600m 180 ±20 140 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 64 400m 280 ±30 120 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPC60PBF IRFPC60PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 10 - 400m 280 ±20 210 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPE30PBF IRFPE30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 - 3 125 ±20 78 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4,9 - 1,2 190 ±20 200 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPF30PBF IRFPF30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 3,6 14 3,7 125 ±20 78 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 4,2 - 1,6 190 ±20 200 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 2 - 5 125 ±20 80 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 2,7 - 3,5 150 ±20 120 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 1k 3,9 - 2 190 ±20 190 TO247AC THT tub - - - - - - -
IRFR010PBF IRFR010PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 8,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR010TRLPBF IRFR010TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR010TRPBF IRFR010TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR010TRRPBF IRFR010TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 5,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR014TRRPBF IRFR014TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR020TRLPBF IRFR020TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR020TRPBF IRFR020TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR020TRRPBF IRFR020TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR024TRLPBF IRFR024TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR024TRRPBF IRFR024TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR110PBF-BE3 IRFR110PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR110TRPBF IRFR110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR110TRPBF-BE3 IRFR110TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR120PBF-BE3 IRFR120PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 7,7 - 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR120TRLPBF IRFR120TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR120TRRPBF IRFR120TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR1N60APBF-BE3 IRFR1N60APBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 - 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR1N60ATRLPBF IRFR1N60ATRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR1N60ATRPBF-BE3 IRFR1N60ATRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR210TRRPBF IRFR210TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 1,7 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR220TRRPBF IRFR220TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 2,4 15 1,1 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR310TRLPBF IRFR310TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR310TRPBF IRFR310TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,7 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR320TRPBF-BE3 IRFR320TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR320TRRPBF IRFR320TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR420ATRLPBF IRFR420ATRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR420PBF-BE3 IRFR420PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420TRLPBF IRFR420TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFR420TRRPBF IRFR420TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR430ATRLPBF IRFR430ATRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9010PBF IRFR9010PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9010TRLPBF IRFR9010TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9010TRPBF IRFR9010TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -5,3 -21 500m 25 ±20 9,1 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9020PBF IRFR9020PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9020TRLPBF IRFR9020TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9020TRPBF IRFR9020TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9024TRPBF-BE3 IRFR9024TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9110TRLPBF IRFR9110TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9120PBF IRFR9120PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9120TRLPBF-BE3 IRFR9120TRLPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9120TRRPBF IRFR9120TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9210PBF IRFR9210PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9210TRLPBF IRFR9210TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9214PBF IRFR9214PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9214TRLPBF IRFR9214TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9214TRPBF IRFR9214TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9220TRLPBF IRFR9220TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9220TRPBF-BE3 IRFR9220TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -3,6 - 1,5 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9220TRRPBF IRFR9220TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRFRC20PBF-BE3 IRFRC20PBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2 - 4,4 - ±20 18 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFRC20TRLPBF-BE3 IRFRC20TRLPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFRC20TRPBF-BE3 IRFRC20TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFRC20TRRPBF IRFRC20TRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 7 - 520m 170 ±30 52 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5,8 - 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFS9N60ATRRPBF IRFS9N60ATRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 7 - 550m 190 ±30 51 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRFSL9N60APBF IRFSL9N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,2 37 750m 170 ±30 49 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
IRFU014PBF IRFU014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,7 31 200m 25 ±20 11 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU024PBF IRFU024PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 14 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 - 540m 25 ±20 8,3 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 - 270m 42 ±20 16 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 5,6 7 36 ±30 14 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU210PBF IRFU210PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 1,5 25 ±20 8,2 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 4,8 19 800m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,1 - 3,6 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 - 1,8 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,3 10 3 83 ±30 17 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 - 3 42 ±20 19 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU430APBF IRFU430APBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5 20 1,7 110 ±30 24 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9010PBF IRFU9010PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -5,3 - 500m 25 ±20 - IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 - 500m 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9020PBF IRFU9020PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -9,9 -40 280m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 - 280m 42 ±20 19 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9110PBF IRFU9110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,1 -12 1,2 25 ±20 8,7 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,6 - 600m 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9210PBF IRFU9210PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,9 -7,6 3 25 ±20 8,9 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9214PBF IRFU9214PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -2,7 -11 3 50 ±20 14 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9220PBF IRFU9220PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -3,6 -14 1,5 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 - 7 50 ±20 13 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 - 4,4 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRFZ10PBF IRFZ10PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 10 40 200m 43 ±20 11 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,2 - 200m 43 ±20 11 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ20PBF IRFZ20PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 15 60 100m 40 ±20 17 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 17 68 100m 60 ±20 25 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ40PBF IRFZ40PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 36 - 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ44RPBF IRFZ44RPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ44SPBF IRFZ44SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFZ44STRLPBF IRFZ44STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFZ48PBF IRFZ48PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 291 18m 190 ±20 110 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRFZ48RSPBF IRFZ48RSPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRFZ48STRLPBF IRFZ48STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 18 540m 43 ±10 6,1 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRL510STRLPBF IRL510STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 18 760m 43 ±10 6,1 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRL540SPBF IRL540SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 28 110 110m 150 ±10 64 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRL620PBF IRL620PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 21 1 50 ±10 16 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRL620SPBF IRL620SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,2 21 1 50 ±10 16 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tub - logic level - - - - -
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRL640STRRPBF IRL640STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 17 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLI640GPBF IRLI640GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 9,9 40 180m 40 ±10 66 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRLIZ14GPBF IRLIZ14GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 8 32 280m 27 ±10 8,4 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRLIZ44GPBF IRLIZ44GPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 30 120 39m 48 ±10 66 TO220FP THT tub - - - - - - -
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,7 22 200m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLL014TRPBF-BE3 IRLL014TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,7 22 280m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,93 - 760m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLL110TRPBF-BE3 IRLL110TRPBF-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,93 12 540m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD - - - - - - - -
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,7 31 280m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRLR014TRLPBF IRLR014TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,7 31 280m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,7 31 200m 25 ±10 8,4 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
IRLR110TRLPBF IRLR110TRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 760m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - logic level - - - - -
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±10 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 - 280m 25 ±10 8,4 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,3 17 540m 25 ±10 6,1 IPAK, TO251 THT tub - logic level - - - - -
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRLZ14STRLPBF IRLZ14STRLPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,2 40 280m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
IRLZ14STRRPBF IRLZ14STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7,2 40 200m 43 ±10 8,4 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
IRLZ34PBF IRLZ34PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 30 110 70m 88 ±10 35 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRLZ44PBF IRLZ44PBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 36 - 28m 150 ±10 66 TO220AB THT tub - - - - - - -
IRLZ44SPBF IRLZ44SPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
IRLZ44STRRPBF IRLZ44STRRPBF VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 0,63 2 396m 0,15 ±8 2 SC75A SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -0,45 -1,5 1,5 0,19 ±8 2,5 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -0,275 2,7 0,08 ±6 1,5 SC75A SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -0,4 -1 2,7 0,275 ±6 1,5 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 0,49/-0,49 2 396m/756m 0,14 ±8 2/2,5 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă pereche complementară - - TrenchFET® - ESD -
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -0,45 -1,5 2,4 0,22 ±8 2,5 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,515 0,65 1,25 0,28 ±6 0,75 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 0,14 -0,5 5 0,13 ±6 0,75 SC75A SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1034CX-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,49 - 396m 0,14 ±8 0,75 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 0,61 2 1,1 0,22 ±8 2 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 0,53 2 762m 0,22 ±8 2,7 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,75 -8 188m 0,33 ±8 31,1 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 1,02 6 195m 0,24 ±12 6 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1079X-T1-GE3 SI1079X-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -1,44 -8 140m 0,33 ±12 26 SC89, SOT563 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 0,48 1,5 480m 0,18 ±20 1,4 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 1,5 - 132m 0,4 ±12 2,7 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 1,4 6 132m 0,3 ±12 4,1 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1317DL-T1-BE3 SI1317DL-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,4 -6 270m 0,5 ±8 6,5 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,4 -6 270m 0,5 ±8 6,5 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -4 -25 34m 2,8 ±10 - SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -4 -25 34m 1,8 ±10 36 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,5 -5 265m 0,625 ±12 4,5 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1403CDL-T1-GE3 SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,6 - 140m 0,6 ±12 4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -0,38 - 2,6 0,81 ±20 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,9 15 47m 1,56 ±12 7,5 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,9 15 58m 1,8 ±12 12 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1424EDH-T1-BE3 SI1424EDH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4 16 33m 2,8 ±8 18 SC70, SOT323 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1424EDH-T1-GE3 SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4 - 33m 1,8 ±8 11,5 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2 -8 64m 1,8 ±8 21 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1428EDH-T1-GE3 SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 4 - 45m 1,8 ±12 4 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1441EDH-T1-GE3 SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4 -25 100m 2,8 ±10 33 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 4 20 30m 2,8 ±8 33 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4 -15 54m 1,8 ±12 28 SC70, SOT323 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1467DH-T1-E3 SI1467DH-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,7 -8 150m 2,78 ±8 13,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,7 -8 150m 2,78 ±8 13,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,7 -8 155m 2,78 ±12 8,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1469DH-T1-GE3 SI1469DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,7 -8 155m 2,78 ±12 8,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,2 7 200m 2,8 ±20 5 SC70-6, SOT363 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI1480DH-T1-GE3 SI1480DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,6 7 320m 2,8 ±20 5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30 - - - 0,34 ±20 - SC70-6, SOT363 SMD - - - - - - - -
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30/-30 0,7/-0,5 - 1,7/525m 0,34 ±20 3/1,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 0,7/-0,5 - 1,35/1,13 0,34 ±12 3/1,8 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1900DL-T1-GE3 SI1900DL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 0,63 1 700m 0,3 ±20 1,4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,9 - 235m 0,27 ±12 2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 0,66 1 630m 0,27 ±12 0,8 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,66 1 630m 0,27 ±12 0,8 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 1,2 4 198m 1,25 ±8 2,5 SC70-6, SC88, SOT363 SMD - - - - TrenchFET® - ESD -
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 1,3 4 198m 0,8 ±8 2,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -1,3 -3 710m 1,25 ±8 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -1,3 -3 710m 1,25 ±8 4,2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -1,3 -3 790m 1,25 ±8 4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2122DS-T1-GE3 SI2122DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,74 8 160m 1,6 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,6 15 68m 1,1 ±12 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,2 -10 150m 0,9 ±8 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,5 -10 112m 1,6 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,8 -10 142m 1,6 ±8 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,8 -10 142m 1,6 ±8 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,1 10 57m 0,86 ±8 3,5 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,1 10 57m 0,86 ±8 3,5 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,1 - 57m 0,46 ±8 3,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,1 - 57m 0,46 ±8 3,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2302HDS-T1-GE3 SI2302HDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,6 - 57m - ±8 - SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,7 -10 330m 2,3 ±20 8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,7 -10 330m 2,3 ±20 8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,7 -10 190m 1,5 ±20 8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,6 10 105m 1,08 ±20 4 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,3 15 60m 1,7 ±20 2,1 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,3 - 75m 1,1 ±20 2,1 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -4,7 -20 35m 1,7 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -3,5 -20 65m 1,1 ±8 30 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,5 20 65m 1,25 ±20 4,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 3,5 20 65m 1,25 ±20 4,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,5 -12 78m 0,48 ±20 15 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,2 -12 88m 1,8 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -3,5 - 88m 1,1 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,2 - 138m 1,8 ±20 6,2 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 2,6 6 144m 1 ±20 4 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,3 -8 345m 1,7 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,3 -8 450m 1,7 ±20 4,1 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,3 -8 450m 1,7 ±20 4,1 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2312BDS-T1-GE3 SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 3,9 15 47m 1,25 ±8 12 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 5,1 20 31,8m 2,1 ±8 8,8 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 5,1 - 41,4m 1,3 ±8 8,8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4,9 15 51m 1,25 ±12 14 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2314EDS-T1-GE3 SI2314EDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4,9 15 51m 1,25 ±12 14 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -3 -12 100m 1,19 ±8 15 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2316BDS-T1-E3 SI2316BDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 4,5 20 80m 1,25 ±20 9,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 4,5 20 80m 1,25 ±20 9,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4,5 20 42m 2,1 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4,5 - 35m 1,3 ±20 5,8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 2,4 16 58m 0,75 ±20 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2318HDS-T1-GE3 SI2318HDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4,5 20 42m 2,1 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -4,4 -20 108m 2,5 ±20 21 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -3,5 - 108m 1,6 ±20 13,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -3,6 -15 100m 1,7 ±20 19 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -2,4 -12 130m 0,8 ±20 17 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -2,4 -12 130m 0,8 ±20 17 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,6 -20 63m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,6 -20 63m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,8 -20 68m 1,1 ±8 13,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,8 - 234m 1,6 ±20 2,9 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -0,43 -1,6 1,3 0,48 ±20 7,7 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -0,43 -1,6 1,3 0,48 ±20 7,7 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 3,3 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,92 6 250m 1,25 ±20 5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -6 - 30m 1,6 ±5 11,8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -4 -20 35m 2,5 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -5,7 -20 35m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -5,7 -20 35m 2,5 ±8 25 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -5,2 -20 150m 1,1 ±8 35 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2336DS-T1-BE3 SI2336DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 4,1 20 42m 1,8 ±8 5,7 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 4,1 - 52m 1,1 ±8 5,7 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -1,75 -7 270m 1,6 ±20 17 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2338DS-T1-BE3 SI2338DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6 25 33m 2,5 ±20 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6 25 28m 1,6 ±20 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 6 30 17m 1,6 ±5 15,8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -5,9 - 45m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -5,9 -25 45m 1,6 ±20 21 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4 -15 86m 1,25 ±20 21 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2347DS-T1-BE3 SI2347DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -3 -20 42m 1,7 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -5 -20 42m 1,1 ±20 22 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2356DS-T1-BE3 SI2356DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4,3 20 70m 1,7 ±12 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4,3 20 70m 1,7 ±12 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2365EDS-T1-BE3 SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,5 -20 67,5m 1,7 ±8 36 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,5 -20 32m 1,1 ±8 36 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI2366DS-T1-BE3 SI2366DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 5,8 20 42m 2,1 ±20 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 5,8 20 36m 1,3 ±20 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2367DS-T1-BE3 SI2367DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,8 -15 66m 1,7 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2367DS-T1-GE3 SI2367DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3 - 66m 1,1 ±8 9 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,5 -50 39m 2,5 - 19,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2369DS-T1-BE3 SI2369DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,1 -80 29m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,6 -80 29m 1,6 ±20 36 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2371EDS-T1-BE3 SI2371EDS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -3,8 -20 45m 1,7 ±12 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4,8 -20 45m 1,1 ±12 35 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI2374DS-T1-BE3 SI2374DS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4,7 25 41m 1,7 ±8 20 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4,7 25 41m 1,1 ±8 20 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,5 - 61m 1,1 ±8 7,6 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI2387DS-T1-GE3 SI2387DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -3 -10 242m 2,5 ±20 10,2 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,5 8 126m 2,5 ±20 2,9 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 3,1 8 126m 1,6 ±20 10,4 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,8 6 149m 1,7 ±20 2,2 SOT23 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 3,1 8 189m 2,5 ±20 10,4 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,5 -50 33m 2,5 - 25,2 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -20 34m 1,6 ±12 20 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI3122DV-T1-GE3 SI3122DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,78 8 160m 1,34 ±20 2,9 SC74, TSOP6 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI3127DV-T1-GE3 SI3127DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,1 -20 89m 2,7 ±20 30 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -5,4 -20 124,2m 4,2 ±20 18 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -25 32,7m 4,2 ±12 63 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -25 32,7m 4,2 ±12 63 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8 30 23m 4,1 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -8 -50 25,2m 2,7 ±20 50 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -8 -50 19,2m 2,7 ±20 69 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3424CDV-T1-BE3 SI3424CDV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8 20 32m 3,6 ±20 12,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8 20 32m 3,6 ±20 12,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -40 38m 2,7 ±8 43,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SI3430DV-T1-E3 SI3430DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,4 8 185m 2 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3430DV-T1-GE3 SI3430DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,4 8 185m 2 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3433CDV-T1-E3 SI3433CDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -20 60m 3,3 ±8 45 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -20 60m 3,3 ±8 45 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -1,4 -5 790m 3,2 ±20 19 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -1,4 -5 790m 3,2 ±20 19 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3438DV-T1-E3 SI3438DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 7,4 20 42,5m 3,5 ±20 20 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3438DV-T1-GE3 SI3438DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 7,4 20 42,5m 3,5 ±20 20 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 2,2 4 432m 3,6 ±20 4 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 1,2 6 400m 1,14 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 1,2 6 400m 1,14 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,6 -20 100m 1,1 ±12 9 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443BDV-T1-GE3 SI3443BDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,6 -20 100m 1,1 ±12 9 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,6 -20 100m 3,2 ±12 12,4 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,6 -20 100m 3,2 ±12 12,4 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4 -20 90m 2,7 ±12 30 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4 -20 90m 2,7 ±12 30 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3453DV-T1-GE3 SI3453DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -3,4 -6 276m 3 ±20 6,8 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6,3 20 50m 2,7 ±20 9 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6,3 20 50m 2,7 ±20 6 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3457CDV-T1-E3 SI3457CDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4,1 -20 113m 3 ±20 15 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4,1 -20 113m 3 ±20 15 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,1 10 128m 3,3 ±20 11 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,9 -8 288m 3,3 ±20 12 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 7,9 20 28m 1,7 ±8 18 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3464DV-T1-GE3 SI3464DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 8 20 30m 3,6 ±8 18 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6,7 -25 51m 2 ±20 30 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8 -20 36m 4,2 ±8 65 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8 -20 36m 4,2 ±8 65 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8 -30 38,8m 3,6 ±8 57 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 3,8 14 126m 2,33 ±20 10,4 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3476DV-T1-BE3 SI3476DV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 3,7 18 93m 3,6 ±20 4,9 SC74, TSOP6 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 4,6 18 126m 3,6 ±20 7,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3477DV-T1-GE3 SI3477DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8 -40 33m 4,2 ±10 90 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7 -25 53m 4,2 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7 -25 53m 4,2 ±20 33 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -8 -30 51,3m 3 - 14,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3483DDV-T1-GE3 SI3483DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -8 -30 51,3m 3 - 14,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -5,8 -25 27,5m 2,97 ±8 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -25 45m 2,97 ±8 43,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3493BDV-T1-GE3 SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -25 45m 2,97 ±8 43,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -32 51,1m 3,6 ±8 52,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -7 -20 48m 2 ±5 42 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30/-30 2,5/-1,8 -7...8 360m/175m 1,15 ±20 3,6/3,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 3,1/-1,7 - 78m/316m 0,9/8 ±12 4,8/9 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3932DV-T1-GE3 SI3932DV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 3,7 15 73m 1,4 ±20 6 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,6 -8 111m 0,9 ±20 8 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 42,5 150 3,2m 7,8 ±20 87 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 8,3 40 33m 5 ±20 29 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 11,1 70 23m 3,6 ±20 29,5 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10,3 50 33m 5,6 ±20 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 25,7 - 4,2m 5 ±20 18,8 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4090BDY-T1-GE3 SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 18,7 80 11,3m 7,4 ±20 70 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 19,7 70 12m 7,8 ±20 69 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 6,8 20 84m 6 ±20 20 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 6,8 20 84m 6 ±20 20 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -25,7 -70 8m 6 ±20 203 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -16 -80 10,8m 5,2 ±20 140 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 20 50 7m 5,7 ±16 95 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 20 50 7m 5,7 ±16 95 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 18 50 11,5m 5 ±12 56 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 18 50 11,5m 5 ±12 56 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 27,2 70 6m 6 ±25 95 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 20,5 50 9m 5,7 ±20 77 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 20,5 50 9m 5,7 ±20 77 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 39 70 3,4m 7,8 ±20 105 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8,7 - 24m 3,2 ±20 3,8 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 11,2 - 14m 3,2 ±20 7,3 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 46 70 2,5m 7,8 ±20 110 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -25,3 -70 9,2m 6 ±25 167 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4151DY-T1-GE3 SI4151DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -20,5 -150 13m 5,6 ±25 87 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4153DY-T1-GE3 SI4153DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -19,3 -100 15m 5,6 ±25 93 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 36 70 3,9m 7,8 ±20 105 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24 70 8m 6 ±20 42 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25,4 70 6,3m 5,7 ±20 54 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 15,4 - 7,9m 3,2 ±20 8,8 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 70 3,9m 6 ±20 95 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30,5 70 5,5m 6,5 ±20 65 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24 70 7,6m 5,7 ±20 44 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 13,5 - 9,5m 3,2 ±20 8 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6,7 - 33m 5 ±25 12 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 35,8 70 3,2m 6 ±20 90 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 18,4 70 12m 6 ±20 67 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12,1 50 14m 2,6 ±20 17 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 15,5 50 4,6m 2,1 ±20 45 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4214DDY-T1-E3 SI4214DDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 7,5 30 19,5m 2 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4214DDY-T1-GE3 SI4214DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 7,5 30 19,5m 2 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4228DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 25 8 50 24m 2 ±12 25 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 7,4 - 20m 3,1 ±20 4,9 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 70 3,6m 3,5 ±12 80 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 50 9,5m 3,1 ±20 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 50 9,5m 3,1 ±20 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4392ADY-T1-E3 SI4392ADY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 21,5 50 11,5m 6,25 ±20 38 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -16,1 -50 15m 4 ±20 95 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -11 -80 18,3m 3,2 ±20 31 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -13,4 -40 25m 5 ±8 90 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12,3 - 14m 3,2 ±8 39 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 13,5 50 11m 2,5 ±20 25 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4420BDY-T1-GE3 SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 13,5 50 11m 2,5 ±20 25 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -14 -40 13,5m 3 ±8 125 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4421DY-T1-GE3 SI4421DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -14 -40 13,5m 3 ±8 125 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -8,8 -50 12m 0,9 ±20 100 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -15,7 - 9,8m 3,6 ±20 27 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4425FDY-T1-GE3 SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -18,3 -70 16m 4,8 - 41 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4430BDY-T1-E3 SI4430BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 60 6m 3 ±20 36 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4430BDY-T1-GE3 SI4430BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 60 6m 3 ±20 36 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -9 - 32m 4,2 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,2 -30 32m 2,7 ±20 38 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 4,1 25 170m 6 ±20 16,5 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 3 30 162m 3,1 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4435DDY SI4435DDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,5 -50 35m 3,2 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,5 -50 35m 3,2 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12,6 -32 30m 4,8 ±20 28 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6,8 25 36m 3,2 ±20 32 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4442DY-T1-GE3 SI4442DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 22 60 7,5m 3,5 ±12 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -7,2 -20 62m 4,2 ±20 38 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4447DY-T1-GE3 SI4447DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -4,5 -30 72m 2 ±16 14 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4451DY-T1-GE3 SI4451DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -14 -40 13m 3 ±8 120 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -2,3 -15 315m 3,8 ±20 23,2 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -2,3 -15 315m 3,8 ±20 23,2 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4456DY-T1-E3 SI4456DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 33 70 4,5m 7,8 ±20 122 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4456DY-T1-GE3 SI4456DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 33 70 4,5m 7,8 ±20 122 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -23,5 - 5m 5 ±20 61 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -27,8 -150 8,2m 5,6 - 84 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9,8 -50 20m 3 ±12 56 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -18,6 -60 14m 5 ±12 162 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,2 8 260m 2,5 ±20 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,2 8 260m 2,5 ±20 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -13,7 -40 16m 3 ±8 85 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -26,6 -60 6,2m 4,2 ±12 190 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -15,4 - 8,8m 3,8 ±25 44,8 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6 -25 72m 5 ±20 21 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 2,8 50 50m 1 ±20 36 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 2,8 50 50m 1 ±20 36 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,2 - 90m 3,1 ±20 42 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,85 40 80m 1 ±20 42 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,85 40 80m 1 ±20 42 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -25,8 -60 11,2m 6,9 ±25 153 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -29 - 3,3m 5 ±20 90 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30/-30 4,9/-3,4 - 47m/89m 1,78 ±20 9/12 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 60 - - - 3,6 ±20 - SO8 SMD - - - - - - - -
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40/-40 8/-8 - 34m/27m 3,2/3,1 ±20 63/20 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40/-40 8/-7,4 40 17,5m/21m 2/2,1 ±16, ±20 31/63 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40/-40 6,8/-5,8 - 62m/42,5m 3,1/3 ±20 38/20 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4626ADY-T1-E3 SI4626ADY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 70 4,1m 6 ±20 125 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4630DY-T1-E3 SI4630DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 40 70 3,2m 7,8 ±16 161 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4630DY-T1-GE3 SI4630DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 40 70 3,2m 7,8 ±16 161 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4634DY-T1-E3 SI4634DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24,5 70 6,7m 5,7 ±20 68 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4634DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24,5 70 6,7m 5,7 ±20 68 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4670DY-T1-GE3 SI4670DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 25 8 30 28m 2,8 ±16 18 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 14,5 50 14m 5,2 ±20 26 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4686DY-T1-GE3 SI4686DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 14,5 50 14m 5,2 ±20 26 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 8 30 27m 3,1 ±20 23 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 4,6/6,5 - 18,5m/11,5m 0,64/0,8 ±20 10/18 SO8 SMD rolă, bandă - Half-Bridge Power MOSFET - LITTLE FOOT® - - -
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 4,6/6,5 - 18,5m/11,5m 0,64/0,8 ±20 10/18 SO8 SMD rolă, bandă - Half-Bridge Power MOSFET - LITTLE FOOT® - - -
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -14,9 -60 20,5m 5 ±25 86 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,7 -50 18m 3,6 ±25 65 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,7 -50 18m 3,6 ±25 65 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 34 70 4m 5,7 ±8 84 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4840BDY-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 9,9 50 12m 3,8 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 9,9 50 12m 3,8 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4842BDY-T1-E3 SI4842BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 28 60 5,7m 6,25 ±20 100 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 5,5 20 133m 5 ±20 9,5 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 4 15 89m 4,5 ±20 3,7 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 3,7 25 95m 3 ±20 21 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 3,7 25 95m 3 ±20 21 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 11,3 40 25m 4,5 ±20 17 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6 40 22m 1,2 ±20 27 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6 40 22m 1,2 ±20 27 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 50 8,5m 3 ±20 25 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4874BDY-T1-GE3 SI4874BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 - - 7m 1,6 ±20 25 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 9,5 40 16m 2,5 ±20 38 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4894BDY-T1-GE3 SI4894BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 9,5 40 16m 2,5 ±20 38 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 9,5 50 22m 3,1 ±20 41 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4896DY-T1-GE3 SI4896DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 9,5 50 22m 3,1 ±20 41 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 5,3 20 72m 3,1 ±20 20 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -6,4 -30 27m 2,1 ±20 63 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4922BDY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 8 35 24m 3,1 ±12 62 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -5,7 - 41m 2 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -5,9 - 41m 5 ±20 50 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -8,9 -30 28m 2 ±8 52 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 8 30 17m 3,2 ±20 48 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6,9 30 51m 2,8 ±20 15 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4936CDY-T1-E3 SI4936CDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 4,6 20 40m 2,3 ±20 6 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 4,6 20 50m 1,5 ±20 9 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4943BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -8,4 -30 31m 2 ±20 25 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4943CDY-T1-E3 SI4943CDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -8 -30 33m 3,1 ±20 62 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -8 -30 33m 3,1 ±20 62 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 6,1 25 51,6m 2,8 ±20 10 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -2,4 -25 150m 0,95 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -2,4 -25 150m 0,95 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6 -20 30m 3,3 ±20 42 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 40 18,5m 31 ±20 30 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -40 33m 31 ±20 45 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -50 22m 31 ±20 63 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6,1 -20 80m 2,5 ±12 22 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 25 60 13,5m 31 ±8 45 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 25 100 9,47m 31 - 40 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -20 56m 5,7 ±12 38 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6 20 51m 10,4 ±20 9 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -20 82m 10,9 ±12 26 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6 30 34m 5,7 ±20 12 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -25 62m 6,3 ±12 96 PowerPAK® ChipFET SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4/-3,7 - 255m/85m 3,1 ±12 5,6/4,2 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4/-3,7 - 255m/85m 3,1 ±12 5,6/4,2 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4/-4 - 156m/50m 3,1 ±8 11/11,3 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4/-4 - 156m/50m 3,1 ±8 11/11,3 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5922DU-T1-GE3 SI5922DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6 24 24,5m 10,4 - 15 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4 -10 156m 2 ±8 11 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4 -10 156m 2 ±8 11 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6 25 40m 10,4 ±20 11 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI5948DU-T1-GE3 SI5948DU-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 6 10 94m 7 ±20 5 ChipFET8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12,5 - 9,8m 2,2 ±8 - TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8,2 -30 8,5m 0,67 ±8 110 TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -8,2 -30 8,5m 0,67 ±8 110 TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4,2/-4,9 30 22m/30m 1/1,1 ±12 23/51 TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -5,8 -30 37m 1,14 ±8 28 TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 3,6 20 43m 1 ±8 10,5 TSSOP8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -80 7,2m 33 ±25 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7104DN-T1-E3 SI7104DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 35 60 7m 52 ±12 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 35 60 7m 52 ±12 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 19,5 60 9,8m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7106DN-T1-GE3 SI7106DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 19,5 60 9,8m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 22 60 6,1m 3,8 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7108DN-T1-GE3 SI7108DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 22 60 6,1m 3,8 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7110DN-T1-E3 SI7110DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 21,1 60 7,8m 3,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7110DN-T1-GE3 SI7110DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 21,1 60 7,8m 3,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7111EDN-T1-GE3 SI7111EDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -150 16m 52 ±12 85 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7112DN-T1-E3 SI7112DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 17,8 60 8,2m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 17,8 60 8,2m 3,8 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -10,8 -20 132m 17,8 ±20 16,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -3,5 -20 134m 33 ±20 55 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 60 9,8m 39 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7114DN-T1-E3 SI7114DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 18,3 60 10m 3,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7114DN-T1-GE3 SI7114DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 18,3 60 10m 3,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -8,9 -15 295m 33 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7116BDN-T1-GE3 SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 65 100 9,6m 62,5 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 16,4 60 10m 3,8 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7116DN-T1-GE3 SI7116DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 16,4 60 10m 3,8 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -2,17 -2,2 1,3 12,5 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7117DN-T1-GE3 SI7117DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -2,17 -2,2 1,3 12,5 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -5 1,05 33 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7119DN-T1-GE3 SI7119DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -5 1,05 33 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -50 15m 17,8 ±25 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -16 -50 30,5m 52 ±25 65 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -60 20m 52,1 ±20 71 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -100 3,9m 66,6 ±20 250 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -60 -100 1,95m 66,6 ±12 585 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -40 -70 5,5m 30 ±20 146 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -60 -100 3m 104 ±20 400 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7143DP-T1-GE3 SI7143DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -60 18,6m 35,7 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -100 3,75m 104 ±20 413 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7148DP-T1-E3 SI7148DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 28 60 11m 61 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 28 60 11m 61 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -50 - 9,5m 31 ±25 43,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -50 -70 5,2m 44,4 ±25 147 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7153DN-T1-GE3 SI7153DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -18 -100 15m 52 ±25 62 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -100 -200 4,6m 104 ±20 330 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -60 -300 3,2m 104 ±12 625 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 17,2 50 80m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 25 30 76m 96 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 60 80 7m 66,5 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 14,4 30 110m 56,8 ±20 22,4 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7192DP-T1-GE3 SI7192DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 100 2,25m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7212DN-T1-E3 SI7212DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6,8 20 39m 2,6 ±12 11 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6,8 20 39m 2,6 ±12 11 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 6 20 39m 20,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 6 20 39m 20,8 ±20 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -6 -40 37,2m 23 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 25 40 24m 23 ±8 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 12 60 80 5m 46 ±12 120 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 23 70 22,5m 21,6 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 29,2 80 21m 29 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 25 60 12,4m 22 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 20 50 22m 15,6 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6 20 72m 19,8 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8 -20 146m 19,8 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8 -20 146m 19,8 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -8,9 -10 315m 33 ±30 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 15,1 20 57m 26 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,5 20 58m 33 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 10 40 30m 3,5 ±25 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 60 7,6m 52 ±12 31,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 60 7,6m 52 ±12 31,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 70 4m 5,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 70 4m 5,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15,8 50 13m 5,2 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15,8 50 13m 5,2 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7374DP-T1-E3 SI7374DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 24 100 6,6m 56 ±20 122 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 19 50 9,5m 5 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 19 50 9,5m 5 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7390DP-T1-E3 SI7390DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 15 50 13,5m 5 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7390DP-T1-GE3 SI7390DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 15 50 13,5m 5 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 5,6 30 25m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 5,6 30 25m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,6 -30 65m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,6 -30 65m 0,8 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -9,8 -30 43m 3,6 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7421DN-T1-GE3 SI7421DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -9,8 -30 43m 3,6 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -11,7 -30 30m 3,8 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7423DN-T1-GE3 SI7423DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -11,7 -30 30m 3,8 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 26 50 47m 64 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 26 50 47m 64 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,2 -30 174m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,2 -30 174m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 12,3 25 170m 54,3 ±20 16,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7434DP-T1-GE3 SI7434DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 3,8 40 162m 8,4 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -3 -50 90m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -3 -50 90m 1,2 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,2 40 80m 1,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,2 40 80m 1,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SI7450DP-T1-RE3 SI7450DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 5,3 40 90m 5,2 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 21 40 33m 19 ±20 19,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 7,8 30 40m 4,8 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 7,8 30 40m 4,8 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 23,5 40 34m 39 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 27,5 50 31,5m 35,7 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 27,8 70 23m 22,8 ±20 29,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,7 40 25m 1 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,7 40 25m 1 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 18 40 12m 5,4 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 18 40 12m 5,4 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8,6 -60 14,5m 1,2 ±20 190 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8,6 -60 14,5m 1,2 ±20 190 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -46 -70 10m 25 ±20 144 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -11 -60 9,2m 1,2 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -11 -60 9,2m 1,2 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7464DP-T1-E3 SI7464DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,8 8 260m 4,2 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7464DP-T1-GE3 SI7464DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,8 8 260m 4,2 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7469ADP-T1-RE3 SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -46 -125 27m 73,5 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -28 -40 29m 83 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -28 -40 25m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7478DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15 60 7,5m 1,2 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7478DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15 60 7,5m 1,2 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -28 -40 41m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -28 -40 41m 53 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 12/-9 - 43m/19,5m 3,5 ±12 48/27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -18 -20 25m 25 ±20 62 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -60 14m 52,1 ±16 87 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -80 4,4m 33 ±12 183 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 - 20,3m 21,1 ±8 111 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7615DN-T1-GE3 SI7615DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 - 3,1m 52 ±12 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -13,9 -60 12,3m 33 ±25 59 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -24 -50 34m 27,8 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -80 9m 52 ±12 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7625DN-T1-GE3 SI7625DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -17,3 -80 7m 33 ±20 126 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7629DN-T1-GE3 SI7629DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -80 11,7m 52 ±12 177 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7633DP-T1-GE3 SI7633DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -60 -100 5,5m 104 ±20 260 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7634BDP-T1-E3 SI7634BDP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 7m 48 ±20 68 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7634BDP-T1-GE3 SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 7m 48 ±20 68 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 28 60 4,8m 5,2 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7636DP-T1-GE3 SI7636DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 28 60 4,8m 5,2 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -40 -100 3,6m 36 ±12 225 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -40 -100 8,5m 57 ±12 225 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 80 2,8m 83 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 50 14m 37,9 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 50 14m 37,9 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 32 16,5m 27,7 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7726DN-T1-GE3 SI7726DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 35 60 12,5m 52 ±20 43 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 26 60 38m 62 ±20 53 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 26 60 38m 62 ±20 53 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7742DP-T1-GE3 SI7742DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 60 80 4,5m 83 ±20 115 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7772DP-T1-GE3 SI7772DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 35,6 50 16,5m 29,8 ±20 28 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 14 40 16m 3,7 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 14 40 16m 3,7 ±20 20 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,4 20 84m 3,8 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7810DN-T1-GE3 SI7810DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,4 20 84m 3,8 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 7,2 25 37m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 7,2 25 37m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 2,2 10 135m 0,8 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 2,2 10 135m 0,8 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7820DN-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 250m 3,8 ±20 18 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 10 250m 3,8 ±20 18 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 24,5 50 50m 5,2 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 24,5 50 50m 5,2 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12,8 50 9m 23 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12,8 50 9m 23 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 12 40 25m 35,7 ±20 17 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6,2 40 22m 0,9 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6,2 40 22m 0,9 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7852ADP-T1-E3 SI7852ADP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 30 60 17m 40 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 7,6 50 16,5m 1,2 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7852DP-T1-GE3 SI7852DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 7,6 50 16,5m 1,2 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7858BDP-T1-GE3 SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 40 70 3,7m 48 ±8 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7862ADP-T1-GE3 SI7862ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 16 29 60 5,5m 5,4 ±8 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7868ADP-T1-E3 SI7868ADP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 40 70 2,75m 83 ±16 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7880ADP-T1-E3 SI7880ADP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 4m 83 ±20 125 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7880ADP-T1-GE3 SI7880ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 4m 83 ±20 125 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 58 50 9m 46 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 60 5,7m 5 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 3 25 85m 1,2 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 3 25 85m 1,2 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 2,5 10 230m 2,6 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 2,5 10 230m 2,6 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7923DN-T1-GE3 SI7923DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -6,4 -20 75m 2,8 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 60 80 7m 46 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 5,9 20 60m 3,5 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 5,9 20 60m 3,5 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7946ADP-T1-GE3 SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 150 7,7 10 256m 19,8 ±20 8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -3,2 -25 64m 0,94 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7956DP-T1-E3 SI7956DP-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 150 4,1 20 115m 3,5 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 150 4,1 20 115m 3,5 ±20 26 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7972DP-T1-GE3 SI7972DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 8 40 21m 22 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 60 60 7m 46 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -60 -100 7,8m 46 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI7998DP-T1-GE3 SI7998DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 25/30 60...80 7m/12,4m 22/40 ±20 26/48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8401DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,9 -10 95m 2,77 ±12 17 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,9 -10 95m 2,77 ±12 17 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 16 30 42m 13 ±8 20 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,3 -25 65m 2,77 ±12 26 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8410DB-T2-E1 SI8410DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 5,7 20 68m 1,8 ±8 16 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 16 20 95m 13 ±5 26 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 10 25 20m 1,8 ±5 40 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9,3 -25 40m 2,7 ±10 110 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -10,2 -25 35m 2,7 ±8 93 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 5,4 20 90m 1,8 ±5 13 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 4,5 20 70m 1,8 ±8 18 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8481DB-T1-E1 SI8481DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9,7 -30 39m 2,8 ±8 81 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -16 -25 92m 13 ±10 65 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,4 - 45m 1,8/0,73 ±12 80 MICROFOOT® 1.6x1.6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -5,4 -20 82m 1,8 ±12 27 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8497DB-T2-E1 SI8497DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -13 -20 120m 13 ±12 49 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8499DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -16 -20 120m 13 ±12 30 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,8 15 150m 0,9 ±8 8,3 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 3,5 15 135m 0,9 ±5 6,5 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 3,9 20 75m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,5 10 165m 0,9 ±8 10 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,9 15 125m 0,9 ±8 8 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 3,2 20 93m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,3 8 142m 0,9 ±12 8 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8817DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,9 -15 320m 0,9 ±8 19 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8818EDB-T2-E1 SI8818EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,2 - 128m - ±12 4,6 - SMD - - - - TrenchFET® - - -
SI8819EDB-T2-E1 SI8819EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -2,9 -15 280m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,3 -15 215m 0,9 ±12 17 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8823EDB-T2-E1 SI8823EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,7 -15 335m 0,9 ±8 17 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8824EDB-T2-E1 SI8824EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 2,9 15 175m 0,9 ±5 6 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -16,7 -80 18,5m 3,1 ±8 180 MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI8902AEDB-T2-E1 SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 24 11 40 37m 5,7 ±12 - MICROFOOT® SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-E3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,6 -20 120m 3,2 ±20 22 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -5 -20 60m 2,5 ±12 14 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9634DY-T1-GE3 SI9634DY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 5 32 38m 1,3 ±20 11 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9926CDY-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 6,7 30 22m 2 ±12 33 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 6,7 30 22m 2 ±12 33 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4 -20 94m 3,1 ±12 26 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4 -20 94m 3,1 ±12 26 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 12 40 22,5m 19 ±20 13,5 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 12 30 46m 19 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 12 20 72m 19 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA112LDJ-T1-GE3 SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 8,8 10 135m 15,6 ±20 11,8 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 30 25m 19,2 ±12 36 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -12 -40 100m 19 ±8 57 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -12 -40 100m 19 ±8 57 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA414DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 12 40 41m 19 ±5 32 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 11,3 15 83m 12 ±20 10 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -35 35m 12 ±20 29 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA4263DJ-T1-GE3 SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -32 51,1m 15,6 ±8 52,2 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA4265EDJ-T1-GE3 SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9 -20 67,5m 15,6 ±8 36 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA427ADJ-T1-GE3 SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -12 -50 16m 12 ±5 50 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -12 - 95m 19 ±5 - PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -30 60m 19 ±8 62 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA430DJT-T1-GE3 SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 12 40 18,5m 19,2 ±20 18 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA431DJ-T1-GE3 SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -30 25m 12 ±8 60 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA432DJ-T1-GE3 SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 30 24m 19,2 ±20 20 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -50 65m 19 ±12 75 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 8 12 50 36m 19 ±5 25,2 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -29,7 -60 65m 19 ±8 90 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12 50 26m 12 ±12 21,5 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -12 -30 65m 19 ±20 35 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA445EDJ-T1-GE3 SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -50 30m 19 ±12 72 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -50 31m 19 ±12 69 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 7,7 10 177m 12 ±20 8 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -12 -50 13,5m 12 ±8 80 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -30 20m 12 ±12 72 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,6 2 1,38 12 ±16 14,5 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA459EDJ-T1-GE3 SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9 -40 35m 10 ±12 30 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -12 -20 55m 17,9 ±8 45 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 40 22m 19 ±20 17 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 25 50 13m 19,2 ±20 20 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 37,8 70 11,4m 19 - 22 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -40 40m 15,6 ±20 32 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -30,3 -70 24,1m 19,2 - 27,8 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA472EDJ-T1-GE3 SIA472EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 30 26,3m 19,2 ±12 36 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA477EDJ-T1-GE3 SIA477EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -12 -50 32m 19 ±8 83 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA477EDJT-T1-GE3 SIA477EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -12 -50 32m 19 ±8 83 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA483ADJ-T1-GE3 SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -60 33m 17,9 - 26 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -40 21m 12 ±20 45 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA485DJ-T1-GE3 SIA485DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -1,6 -2 2,7 15,6 ±20 6,3 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 170m/65m 6,5 ±8 20/15 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20/-20 4,5/-4,5 - 137m/65m 7,8 ±12 16/12 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 174m/65m 7,8 ±8 26/15 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA533EDJ-T1-GE3 SIA533EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 12/-12 4,5/-4,5 - 215m/70m 7,8 ±8 20/15 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 12/-20 4,5/-4,5 - 165m/104m 7,8 ±8 25/16 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA811ADJ-T1-GE3 SIA811ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET + Schottky -20 -4,5 -8 205m 6,8 ±8 13 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET + Schottky -30 -4,5 -15 125m 6,5 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 4,5 15 63m 7,8 ±12 12 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -4,5 15 95m 7,8 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA910EDJ-T1-GE3 SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 12 4,5 20 42m 7,8 ±8 16 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -12 -4,5 -15 115m 6,5 ±8 20 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA918EDJ-T1-GE3 SIA918EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 4,5 15 77m 7,8 ±8 9,5 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -4,5 -15 59m 5 ±12 23 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4,5 -15 165m 7,8 ±8 25 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA923EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -20 -4,5 -15 165m 7,8 ±8 25 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA928DJ-T1-GE3 SIA928DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 4,5 30 33m 7,8 - 10 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4,5 -15 64m 5 ±12 21 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA931DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -4,3 -28 65m 5 ±20 13 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 4,5 30 48m 7,8 - 11,5 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -4,5 -15 41m 5 ±8 26 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIAA00DJ-T1-GE3 SIAA00DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 40 80 7,5m 19,2 - 24 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIAA02DJ-T1-GE3 SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 52 100 16,2m 19 - 33 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIAA40DJ-T1-GE3 SIAA40DJ-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 30 60 16m 19,2 - 24 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB406EDK-T1-GE3 SIB406EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 6 15 63m 10 ±12 12 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB4122DK-T1-GE3 SIB4122DK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,7 8 160m 12,5 ±20 2,9 PowerPAK® SC75 SMD - - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SIB417EDK-T1-GE3 SIB417EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -8 -9 -15 250m 13 ±5 12 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 9 25 82m 13 ±8 18 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB433EDK-T1-GE3 SIB433EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -9 -20 105m 13 ±8 21 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -9 -40 115m 13 ±8 33 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 190 0,53 - 6 13 ±16 6,5 PowerPAK® SC75 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 6,3 7 310m 13 ±20 5 PowerPAK® SC75 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6,8 -25 35m 8,4 ±8 44 PowerPAK® SC75 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - ESD -
SIDR104ADP-T1-RE3 SIDR104ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 81 200 7,2m 100 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR104AEP-T1-RE3 SIDR104AEP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 90,5 200 7,2m 120 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR140DP-T1-GE3 SIDR140DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 100 500 900µ 125 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR140DP-T1-RE3 SIDR140DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 100 500 900µ 125 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR170DP-T1-RE3 SIDR170DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 200 5,85m 125 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR220DP-T1-RE3 SIDR220DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 100 500 820µ 125 - 200 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR390DP-T1-GE3 SIDR390DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 1,15m 125 - 153 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR392DP-T1-GE3 SIDR392DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 200 930µ 125 - 188 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR392DP-T1-RE3 SIDR392DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 200 930µ 125 - 188 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 165 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR402DP-T1-RE3 SIDR402DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 64,6 - - - - - PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIDR500EP-T1-RE3 SIDR500EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 421 500 680µ 150 - 180 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 126 300 5,6m 150 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 148 300 4,2m 150 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 90,9 200 8,5m 150 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR5802EP-T1-RE3 SIDR5802EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 153 300 4m 150 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR608DP-T1-RE3 SIDR608DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 208 400 1,8m 104 - 167 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR610DP-T1-GE3 SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 39,6 80 33,4m 125 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR610DP-T1-RE3 SIDR610DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 39,6 80 33,4m 125 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 33,1 80 23,9m 150 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 56,7 100 20,4m 125 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR622DP-T1-RE3 SIDR622DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 56,7 100 20,4m 125 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR626DP-T1-GE3 SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 100 200 2,6m 80 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR626DP-T1-RE3 SIDR626DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 100 200 2,6m 125 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 204 300 2,1m 125 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR626LEP-T1-RE3 SIDR626LEP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 218 300 2,1m 150 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR638DP-T1-GE3 SIDR638DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR638DP-T1-RE3 SIDR638DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 125 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 104 200 7m 125 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 200 5,05m 125 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 137 300 3,5m 125 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 100 200 3,4m 125 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 300 10,5m 125 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 300 10,5m 125 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 100 2,6m 125 ±20 160 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE808DF-T1-E3 SIE808DF-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 60 100 2,5m 125 ±20 155 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 100 3,4m 125 ±20 170 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE812DF-T1-GE3 SIE812DF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 100 3,4m 125 ±20 170 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 60 80 12,5m 125 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE818DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 60 80 12,5m 125 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 50 80 5,5m 104 ±20 78 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIEH4800EW-T1-GE3 SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 34 - 1,15m 3,4 ±20 278 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8 73 100m 35 ±30 50 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 29 - 100m 35 ±30 35 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA11N80AE-GE3 SIHA11N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 450m 31 ±30 42 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 32 440m 34 ±30 88 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 120m 34 ±30 45 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 66 125m 179 ±30 47 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 6,6 21 380m 32 ±30 50 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 - 380m 33 ±30 29 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA14N60E-GE3 SIHA14N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 - - 147 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 9,2 28 280m 33 ±30 66 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,6 39 280m 34 ±30 76 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 15 - 280m 34 ±30 96 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA15N80AEF-GE3 SIHA15N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4 28 350m 33 ±30 54 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA15N80AE-GE3 SIHA15N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4 29 350m 33 ±30 53 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA17N80AEF-GE3 SIHA17N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4,1 32 305m 34 ±30 63 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA17N80E-E3 SIHA17N80E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 15 - 290m 35 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA17N80E-GE3 SIHA17N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4 45 290m 35 ±30 122 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA180N60E-GE3 SIHA180N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 6 44 180m 33 ±30 33 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8,4 - 193m 156 ±30 32 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 - 176m 34 ±30 46 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 19 - 160m 34 ±30 46 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 12 42 184m 34 ±30 92 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 176m 35 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA21N65EF-E3 SIHA21N65EF-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 13 53 180m 35 ±30 106 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 21 - 180m 35 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA21N80AEF-GE3 SIHA21N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4,4 37 250m 33 ±30 71 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA22N60AE-GE3 SIHA22N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 49 180m 33 ±30 96 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA22N60E-E3 SIHA22N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 180m 35 ±30 57 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA22N60EF-GE3 SIHA22N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 46 182m 33 ±30 96 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA22N60EL-E3 SIHA22N60EL-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - - 35 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA240N60E-GE3 SIHA240N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 30 240m 31 ±30 23 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 6 65 156m 39 ±30 122 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 51 184m 35 ±30 89 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA25N50E-E3 SIHA25N50E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 550 26 - 145m 35 ±30 57 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 16 50 145m 35 ±30 86 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA25N60EFL-E3 SIHA25N60EFL-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 - 127m 39 ±30 50 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA2N80E-GE3 SIHA2N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 29 ±30 19,6 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA4N80E-GE3 SIHA4N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA5N80AE-GE3 SIHA5N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,9 7 1,35 29 ±30 16,5 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA690N60E-GE3 SIHA690N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2,7 11 700m 29 ±30 12 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 7 - - 31 ±30 24 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 3,2 10 950m 30 ±30 22,5 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5,4 - 940m 31 ±30 - TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 47 128 54m 278 ±30 92 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB055N60EF-GE3 SIHB055N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 29 123 48m 278 ±30 95 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 116 65m 250 ±30 74 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB100N65E-GE3 SIHB100N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 19 63 87m 208 ±30 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 29 - 102m 208 ±30 35 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB11N80AE-T1-GE3 SIHB11N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 391m 78 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB11N80E-GE3 SIHB11N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 - 120m 179 ±30 45 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB120N60E-T1-GE3 SIHB120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB120N60E-T5-GE3 SIHB120N60E-T5-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB125N65E-GE3 SIHB125N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 17 60 120m 208 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 6,6 21 380m 114 ±30 50 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7,8 - 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB12N60ET1-GE3 SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB12N60ET5-GE3 SIHB12N60ET5-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 8 28 380m 156 ±30 70 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 43 137m 179 ±30 24 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB155N60EF-GE3 SIHB155N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 159m 179 ±30 25 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 9,2 28 280m 156 ±30 66 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB15N80AE-GE3 SIHB15N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 29 350m 156 ±30 53 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10 32 290m 179 ±30 62 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB180N60E-GE3 SIHB180N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 43 168m 156 ±30 32 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 - - 380m 179 ±30 46 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 13 53 180m 208 ±30 106 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB21N80AE-GE3 SIHB21N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60AE-GE3 SIHB22N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 51 268 30m 520 ±30 443 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60EF-GE3 SIHB22N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60EL-GE3 SIHB22N60EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 45 197m 227 ±30 74 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N60ET5-GE3 SIHB22N60ET5-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 15 63 158m 227 ±30 95 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB240N65E-GE3 SIHB240N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 10 33 208m 147 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB24N65E-E3 SIHB24N65E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 15 65 156m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 24 65 156m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 13 51 184m 208 ±30 89 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB24N80AE-T1-GE3 SIHB24N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 13 51 160m 208 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 76 125m 250 ±30 130 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 99m 278 ±30 150 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 94m 250 ±30 132 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB4N80E-GE3 SIHB4N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,8 7 1,17 62,5 ±30 - D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5,4 15 940m 78 ±30 44 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHB8N50D-GE3 SIHB8N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,5 18 850m 156 ±30 30 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 391m 78 ±30 42 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 6,6 21 380m 114 ±30 50 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD14N60E-GE3 SIHD14N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD180N60E-GE3 SIHD180N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 40 195m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD180N60ET1-GE3 SIHD180N60ET1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 40 170m 156 ±30 21 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD180N60ET4-GE3 SIHD180N60ET4-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 40 170m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 40 201m 156 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2,6 5 1,45 63 ±30 7,5 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD240N60E-GE3 SIHD240N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 30 240m 78 ±30 23 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD240N65E-GE3 SIHD240N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 - 240m 147 ±30 19 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,8 3,6 2,5 62,5 ±30 10,5 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SIHD2N80E-GE3 SIHD2N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 62,5 ±30 19,6 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,9 5,5 3,2 69 ±30 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD5N80AE-GE3 SIHD5N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 850 4,4 - 1,35 62,5 ±30 11 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD690N60E-GE3 SIHD690N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 4 11 700m 62,5 ±30 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD6N62E-GE3 SIHD6N62E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 620 4 12 900m 78 ±30 34 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 3,2 10 950m 62,5 ±30 22,5 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 3,4 15 940m 78 ±30 44 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD7N60E-E3 SIHD7N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 - - 78 ±30 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 6 22 368m 78 ±30 52 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 116 65m 39 ±30 74 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 10 115 68m 39 ±30 77 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9 96 70m 35 ±30 42 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF10N40D-E3 SIHF10N40D-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6 23 600m 33 ±30 30 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7,8 27 380m 33 ±30 58 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 8 28 380m 33 ±30 70 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,6 39 280m 34 ±30 78 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF15N65E-GE3 SIHF15N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 11 53 280m 39 ±30 76 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF22N60E-E3 SIHF22N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 86 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 56 180m 35 ±30 86 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF22N65E-GE3 SIHF22N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 14 56 180m 35 ±30 110 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 15 63 158m 35 ±30 95 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 75 123m 39 ±30 120 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF30N60E-E3 SIHF30N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 29 - 104m 37 ±30 - TO220FP THT - - - - - - - -
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 18 676 125m 37 ±30 130 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 97m 39 ±30 134 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF35N60E-GE3 SIHF35N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 32 80 82m 39 ±30 132 TO220-3 THT - - - - - - - -
SIHF530S-GE3 SIHF530S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF530STRR-GE3 SIHF530STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 10 56 160m 88 ±20 26 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF540S-GE3 SIHF540S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF540STRR-GE3 SIHF540STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 20 110 77m 150 ±20 72 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 28,8 ±30 20 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF610S-GE3 SIHF610S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 2,1 10 1,5 36 ±20 8,2 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF620S-GE3 SIHF620S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF620STRL-GE3 SIHF620STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 18 800m 50 ±20 14 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF634S-GE3 SIHF634S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF634STRR-GE3 SIHF634STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 5,1 32 450m 74 ±20 41 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF640L-GE3 SIHF640L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHF640S-GE3 SIHF640S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF640STRL-GE3 SIHF640STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF640STRR-GE3 SIHF640STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 72 180m 130 ±20 70 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF644S-GE3 SIHF644S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF644STRL-GE3 SIHF644STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 8,5 56 280m 125 ±20 68 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 18 600m 31 ±30 48 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF730AL-GE3 SIHF730AL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 - 22 1 74 ±30 22 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
SIHF730ASTRR-GE3 SIHF730ASTRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±30 22 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF730STRL-GE3 SIHF730STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 3,5 22 1 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF740AL-GE3 SIHF740AL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±30 36 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHF740S-GE3 SIHF740S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF740STRL-GE3 SIHF740STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6,3 40 550m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 18 600m 31 ±30 40 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF830STRL-GE3 SIHF830STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,9 18 1,5 74 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF840AS-GE3 SIHF840AS-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±30 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF840LCS-GE3 SIHF840LCS-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 28 850m 125 ±30 39 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHF840S-GE3 SIHF840S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,1 32 850m 125 ±20 63 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF8N50D-E3 SIHF8N50D-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,5 18 850m 33 ±30 30 TO220FP THT tub - - - - - - -
SIHF9520S-GE3 SIHF9520S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -4,8 -27 600m 60 ±20 18 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,2 -48 300m 88 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9540S-GE3 SIHF9540S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
SIHF9540STRL-GE3 SIHF9540STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -13 -72 200m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -4 -26 800m 74 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9640S-GE3 SIHF9640S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 44 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
SIHF9640STRL-GE3 SIHF9640STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -6,8 -44 500m 125 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9Z24STRL-GE3 SIHF9Z24STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -7,7 -44 280m 60 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHF9Z34STRL-GE3 SIHF9Z34STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -13 -72 140m 88 ±20 34 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFBC20L-GE3 SIHFBC20L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,4 8 4,4 50 ±20 18 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHFBC30AS-GE3 SIHFBC30AS-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2,3 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFBC30ASTRR-GE3 SIHFBC30ASTRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 2,3 14 2,2 74 ±30 23 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHFBC40L-GE3 SIHFBC40L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,9 25 1,2 130 ±20 60 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHFBE30L-GE3 SIHFBE30L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,6 16 3 125 ±20 78 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHFBF20L-GE3 SIHFBF20L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 I2PAK, TO262 THT - - - - - - - -
SIHFBF20S-GE3 SIHFBF20S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
SIHFBF20STRL-GE3 SIHFBF20STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 1,1 6,8 8 54 ±20 38 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFBF30S-GE3 SIHFBF30S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 900 2,3 14 3,7 125 ±20 78 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
SIHFL210TR-GE3 SIHFL210TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 0,6 7,7 1,5 3,1 ±20 8,2 SOT223 SMD - - - - - - - -
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,1 -14 500m 3,1 ±20 - SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFL9110TR-GE3 SIHFL9110TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -0,69 -8,8 1,2 3,1 ±20 - SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFPS37N50A-GE3 SIHFPS37N50A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 23 144 130m 446 ±30 180 SUPER247 THT tub - - - - - - -
SIHFR010-GE3 SIHFR010-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 8,2 33 200m 25 ±20 10 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR014TR-GE3 SIHFR014TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 200m 25 ±20 11 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR024TR-GE3 SIHFR024TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR110-GE3 SIHFR110-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR110TR-GE3 SIHFR110TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR110TRL-GE3 SIHFR110TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 540m 25 ±20 8,3 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR120-GE3 SIHFR120-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR120TR-GE3 SIHFR120TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR120TRL-GE3 SIHFR120TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4,9 31 270m 42 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR1N60ATRL-GE3 SIHFR1N60ATRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 0,89 5,6 7 36 ±30 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR210TRL-GE3 SIHFR210TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 1,7 10 1,5 25 ±20 8,2 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR220-GE3 SIHFR220-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3 19 800m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR310-GE3 SIHFR310-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR310TR-GE3 SIHFR310TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR310TRR-GE3 SIHFR310TRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR320-GE3 SIHFR320-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR320TR-GE3 SIHFR320TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 2 12 1,8 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR420A-GE3 SIHFR420A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR420ATR-GE3 SIHFR420ATR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR420-GE3 SIHFR420-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR420TR-GE3 SIHFR420TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,5 8 3 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR430A-GE3 SIHFR430A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR430ATR-GE3 SIHFR430ATR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR430ATRR-GE3 SIHFR430ATRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,2 20 1,7 110 ±30 24 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SIHFR9014-GE3 SIHFR9014-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9014TR-GE3 SIHFR9014TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9014TRL-GE3 SIHFR9014TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -3,2 -20 500m 25 ±20 12 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9020TR-GE3 SIHFR9020TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -6,3 -40 280m 42 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9024-GE3 SIHFR9024-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9024TR-GE3 SIHFR9024TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9024TRL-GE3 SIHFR9024TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9024TRR-GE3 SIHFR9024TRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,6 -35 280m 42 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9110TR-GE3 SIHFR9110TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9110TRL-GE3 SIHFR9110TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -2 -12 1,2 25 ±20 8,7 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9120-GE3 SIHFR9120-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9120TR-GE3 SIHFR9120TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9210TR-GE3 SIHFR9210TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -1,2 -7,6 3 25 ±20 8,9 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9214-GE3 SIHFR9214-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9214TR-GE3 SIHFR9214TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -250 -1,7 -11 3 50 ±20 14 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9220-GE3 SIHFR9220-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9220TR-GE3 SIHFR9220TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9220TRL-GE3 SIHFR9220TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9220TRR-GE3 SIHFR9220TRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -2,3 -14 1,5 42 ±20 20 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFR9310TR-GE3 SIHFR9310TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFR9310TRL-GE3 SIHFR9310TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFRC20-GE3 SIHFRC20-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD tub - - - - - - -
SIHFRC20TR-GE3 SIHFRC20TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFS11N50A-GE3 SIHFS11N50A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 7 44 520m 170 ±30 52 D2PAK, TO263 SMD - - - - - - - -
SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5,8 37 750m 170 ±30 49 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFU020-GE3 SIHFU020-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU024-GE3 SIHFU024-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 56 100m 42 ±20 25 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU310-GE3 SIHFU310-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 1,1 6 3,6 25 ±20 12 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU320-GE3 SIHFU320-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET - - 12 1,8 42 ±20 20 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU420A-GE3 SIHFU420A-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 2,1 10 3 83 ±30 17 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU9020-GE3 SIHFU9020-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -50 -6,3 -40 280m 42 ±20 14 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU9120-GE3 SIHFU9120-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -5,6 -22 600m 42 ±20 - IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFU9310-GE3 SIHFU9310-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -400 -1,1 -7,2 7 50 ±20 13 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFUC20-GE3 SIHFUC20-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 1,3 8 4,4 42 ±20 18 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHFZ34S-GE3 SIHFZ34S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 21 120 50m 88 ±20 46 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFZ44STRR-GE3 SIHFZ44STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 36 200 28m 150 ±20 67 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFZ48RS-GE3 SIHFZ48RS-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHFZ48S-GE3 SIHFZ48S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 50 290 18m 190 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHG018N60EGE3 SIHG018N60EGE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 99 - 23m 524 ±30 228 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 63 325 23m 524 ±30 228 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 39 196 36m 357 ±30 84 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 40 199 39m 357 ±30 126 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 32 155 50m 278 ±30 130 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG052N60EF-GE3 SIHG052N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 31 148 52m 278 ±30 101 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 116 65m 250 ±30 74 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 22 96 80m 227 ±30 63 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 27 - 120m 208 ±30 38 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 9 38 400m 208 ±30 58 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG155N60EF-GE3 SIHG155N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 136m 179 ±30 25 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG15N80AEF-GE3 SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 54 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG15N80AE-GE3 SIHG15N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 53 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 10 40 380m 250 ±30 68 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG17N60D-GE3 SIHG17N60D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 10,7 48 340m 277,8 ±30 90 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 9 32 305m 179 ±30 63 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10 32 290m 179 ±30 62 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8,4 - 168m 156 ±30 32 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG190N65E-GE3 SIHG190N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG21N80AEF-GE3 SIHG21N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10,3 37 250m 179 ±30 71 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG21N80AE-GE3 SIHG21N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N50D-GE3 SIHG22N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 14 67 230m 315 ±30 98 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N60AE-GE3 SIHG22N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 49 180m 179 ±30 96 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 57 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N60EF-GE3 SIHG22N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N60EL-GE3 SIHG22N60EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 45 171m 227 ±30 - TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG22N65E-GE3 SIHG22N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG23N60E-GE3 SIHG23N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 23 - 158m 227 ±30 63 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 850 21 - 184m 208 ±30 59 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 16 78 170m 278 ±30 88 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG25N60EFL-GE3 SIHG25N60EFL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 61 146m 250 ±30 75 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG28N60EF-GE3 SIHG28N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG28N65EF-GE3 SIHG28N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 28 - 117m 250 ±30 146 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG30N60E-E3 SIHG30N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 65 125m 250 ±30 130 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 - 125m 250 ±30 130 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 19 89 150m 390 ±30 96 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 88 99m 278 ±30 150 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG33N65EF-GE3 SIHG33N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 20 93 95m 313 ±30 171 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 21 101 105m 313 ±30 173 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG35N60EF-GE3 SIHG35N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 123 65m 329 ±30 131 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG44N65EF-GE3 SIHG44N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 29 154 73m 417 ±30 278 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG460B-GE3 SIHG460B-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 13 62 250m 278 ±20 170 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 111 70m 313 ±30 189 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 27 130 65m 313 ±30 182 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 30 - 530m 379 ±30 222 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N60EF-GE3 SIHG47N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 29 138 65m 379 ±30 228 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 30 - 64m 357 ±30 220 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 30 139 72m 417 ±30 273 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG61N65EF-GE3 SIHG61N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 41 199 47m 520 ±30 371 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG64N65E-GE3 SIHG64N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 40 202 47m 520 ±30 369 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 38 173 40m 417 ±30 394 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG70N60EF-GE3 SIHG70N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 45 229 38m 520 ±30 380 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 38 173 40m 417 ±30 394 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 46 - 39m 520 ±30 362 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 51 254 32m 520 ±30 400 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 51 268 30m 520 ±30 443 TO247AC THT tub - - - - - - -
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 22 100 68m 202 ±30 80 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH070N60EF-T1GE3 SIHH070N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 23 93 71m 202 ±30 75 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 96 80m 184 ±30 63 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 75 75m 184 ±30 42 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH100N60E-T1-GE3 SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 63 100m 174 ±30 53 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH100N65E-T1-GE3 SIHH100N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 28 - 100m 184 ±30 41 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 59 105m 174 ±30 50 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH11N60EF-T1-GE3 SIHH11N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 27 357m 114 ±30 62 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 27 295m 114 ±30 31 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH11N65EF-T1-GE3 SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 7 27 382m 130 ±30 70 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH11N65E-T1-GE3 SIHH11N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 8 27 363m 130 ±30 68 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH120N60E-T1-GE3 SIHH120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 15 57 120m 156 ±30 44 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 66 125m 156 ±30 47 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH125N65E-T1-GE3 SIHH125N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 25 - 120m 174 ±30 38 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH14N60EF-T1-GE3 SIHH14N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9 38 266m 147 ±30 84 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 10 38 255m 147 ±30 82 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH14N65EF-T1-GE3 SIHH14N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 9,5 36 271m 156 ±30 98 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH14N65E-T1-GE3 SIHH14N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 10 38 260m 56 ±30 96 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH180N60E-T1-GE3 SIHH180N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 44 180m 114 ±30 33 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH190N65E-T1-GE3 SIHH190N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 17 38 165m 130 ±30 22 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH20N50E-T1-GE3 SIHH20N50E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 14 53 147m 174 ±30 84 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH21N60EF-T1-GE3 SIHH21N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 - 185m 174 ±30 - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 48 176m 104 ±30 83 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH21N65EF-T1-GE3 SIHH21N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 12,5 53 180m 156 ±30 102 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH21N65E-T1-GE3 SIHH21N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 12,8 53 170m 156 ±30 99 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 - 208m 89 ±30 23 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH240N65E-T1-GE3 SIHH240N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 9 33 208m 114 ±30 19 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH24N65EF-T1-GE3 SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 14 55 158m 202 ±30 117 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH24N65E-T1-GE3 SIHH24N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 15 58 150m 202 ±30 116 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH26N60EF-T1-GE3 SIHH26N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 24 - 117m 202 ±30 77 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 50 135m 202 ±30 116 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH27N60EF-T1-GE3 SIHH27N60EF-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 47 185m 174 ±30 86 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHH28N60E-T1-GE3 SIHH28N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 76 98m 202 ±30 129 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 6 - 313m 89 ±30 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 30 240m 89 ±30 23 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 3,5 11 700m 48 ±30 12 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 3,6 12 868m 74 ±30 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 17 598m 96 ±30 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 18 520m 89 ±30 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 30 133 52m 278 ±30 105 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 48 138 49m 278 ±30 98 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 29 129 48m 278 ±30 78 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 110 58m 236 ±30 90 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 97 71m 192 ±30 72 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK100N65E-T1-GE3 SIHK100N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 28 - 100m 184 ±30 41 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 54 125m 132 ±30 45 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK125N60E-T1-GE3 SIHK125N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 54 109m 132 ±30 29 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 25 - 120m 174 ±30 - PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHL510STRL-GE3 SIHL510STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 4 18 760m 43 ±10 6,1 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHL530STRR-GE3 SIHL530STRR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 11 60 220m 88 ±10 28 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHL620S-GE3 SIHL620S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 3,3 21 1 50 ±10 16 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHL640STRL-GE3 SIHL640STRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 68 270m 125 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHLL014TR-GE3 SIHLL014TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,7 22 280m 3,1 ±10 8,4 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,93 - 760m 3,1 ±10 6,1 SOT223 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHLR024TRL-GE3 SIHLR024TRL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9,2 56 140m 42 ±10 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHLR110TR-GE3 SIHLR110TR-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 2,7 17 760m 25 ±10 6,1 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIHLU014-GE3 SIHLU014-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,9 31 280m 25 ±10 8,4 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHLU024-GE3 SIHLU024-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9,2 56 140m 42 ±10 18 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHLZ24L-GE3 SIHLZ24L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 12 68 140m 60 ±10 18 I2PAK, TO262 THT tub - - - - - - -
SIHLZ44S-GE3 SIHLZ44S-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 36 200 39m 150 ±10 66 D2PAK, TO263 SMD tub - - - - - - -
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 32 155 50m 278 ±30 130 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP052N60EF-GE3 SIHP052N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 31 148 52m 278 ±30 101 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 25 - 65m 250 ±30 98 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 26 115 68m 250 ±30 77 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 22 96 70m 227 ±30 42 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP085N60EF-GE3 SIHP085N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 75 73m 184 ±30 42 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP100N60E-GE3 SIHP100N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 73 100m 208 ±30 50 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP100N65E-GE3 SIHP100N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 30 - 100m 208 ±30 41 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 19 73 102m 208 ±30 53 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP10N40D-GE3 SIHP10N40D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 6 23 600m 147 ±30 30 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5 22 450m 78 ±30 42 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP11N80E-GE3 SIHP11N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 32 440m 179 ±30 88 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 120m 179 ±30 45 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 16 66 125m 179 ±30 47 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP125N65E-GE3 SIHP125N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 27 - 120m 208 ±30 38 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 6,6 121 380m 114 ±30 50 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7,8 27 380m 147 ±30 58 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP12N65E-GE3 SIHP12N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 8 28 380m 156 ±30 70 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP14N50D-GE3 SIHP14N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 9 - 400m 208 ±30 58 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP14N60E-GE3 SIHP14N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 8 32 309m 147 ±30 64 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 - 85m 179 ±30 24 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 14,5 28 280m 156 ±30 66 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 9,2 28 280m 156 ±30 66 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 9,6 39 280m 180 ±30 78 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 10 38 280m 34 ±30 96 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 8 28 350m 156 ±30 54 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 13 - 304m 156 ±30 35 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP17N60D-GE3 SIHP17N60D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 10,7 48 340m 277,8 ±30 90 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 9 32 305m 179 ±30 63 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10 45 290m 208 ±30 122 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP180N60E-GE3 SIHP180N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 44 180m 156 ±30 33 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 43 193m 156 ±30 32 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP190N65E-GE3 SIHP190N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 20 - 190m 179 ±30 33 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 12 42 184m 179 ±30 92 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 14 53 176m 227 ±30 84 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 10,3 37 250m 179 ±30 71 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP21N80AE-GE3 SIHP21N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP22N60AE-GE3 SIHP22N60AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 49 180m 179 ±30 96 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP22N60E-E3 SIHP22N60E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 - 180m 227 ±30 57 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP22N60EF-GE3 SIHP22N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 12 46 182m 179 ±30 96 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 13 56 180m 227 ±30 86 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP22N65E-GE3 SIHP22N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 14 56 180m 227 ±30 110 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP23N60E-GE3 SIHP23N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 23 - 158m 227 ±30 63 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 7 31 240m 78 ±30 23 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP240N65E-GE3 SIHP240N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 - 240m 147 ±30 19 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 24 - 145m 250 ±30 81 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 16 70 145m 250 ±30 122 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 20 46 195m 208 ±30 90 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 13 51 184m 208 ±30 89 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 26 50 145m 250 ±30 86 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 16 50 145m 250 ±30 86 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP25N60EFL-GE3 SIHP25N60EFL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 - 127m 250 ±30 75 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 75 123m 250 ±30 120 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 18 87 117m 250 ±30 146 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP28N65E-GE3 SIHP28N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 18 87 112m 250 ±30 140 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 18 65 125m 250 ±30 130 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 100 98m 278 ±30 155 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 21 88 99m 278 ±30 150 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP35N60EF-GE3 SIHP35N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 97m 250 ±30 134 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP35N60E-GE3 SIHP35N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 20 80 94m 250 ±30 132 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP38N60EF-GE3 SIHP38N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 25 11 70m 313 ±30 189 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 27 126 65m 313 ±30 183 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP4N80E-GE3 SIHP4N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 4,3 - 1,1 69 ±30 32 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP690N60E-GE3 SIHP690N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 4 11 700m 62,5 ±30 12 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP6N40D-GE3 SIHP6N40D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 400 4 13 1 104 ±30 18 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 5,4 - 820m 78 ±30 44 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 5,5 18 850m 156 ±30 30 TO220AB THT tub - - - - - - -
SIHR080N60E-T1-GE3 SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 51 - 74m 500 ±30 42 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR100N60EF-T1GE3 SIHR100N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 38 - 87m 347 ±30 53 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR100N60E-T1-GE3 SIHR100N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 38 - 85m 347 ±30 16 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR120N60EF-T1GE3 SIHR120N60EF-T1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 31 - 110m 278 ±30 45 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHR120N60E-T1-GE3 SIHR120N60E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 32 - 104m 278 ±30 44 PowerPAK® 8x8L SMD - - - - - - - -
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 87 - 29m 625 ±30 - TO274AA THT - - - - - - - -
SIHU2N80E-GE3 SIHU2N80E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 1,8 5 2,75 62,5 ±30 19,6 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 1,9 5,5 3,2 69 ±30 12 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU4N80AE-GE3 SIHU4N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 2,7 11 1,27 69 ±30 32 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU5N50D-GE3 SIHU5N50D-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 500 3,4 10 1,5 104 ±30 20 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU6N62E-GE3 SIHU6N62E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 620 4 12 900m 78 ±30 34 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 5 18 600m 78 ±30 48 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 3,2 10 950m 62,5 ±30 22,5 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHU7N60E-GE3 SIHU7N60E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 5 18 600m 78 ±30 40 IPAK, TO251 THT tub - - - - - - -
SIHW21N80AE-GE3 SIHW21N80AE-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 800 11 38 235m 179 ±30 72 TO247AD THT tub - - - - - - -
SIHW61N65EF-GE3 SIHW61N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 41 199 47m 520 ±30 371 TO247AD THT tub - - - - - - -
SIHW70N60EF-GE3 SIHW70N60EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 600 45 229 38m 520 ±30 380 TO247AD THT tub - - - - - - -
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 25,5 70 20,3m 22,3 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ150DP-T1-GE3 SIJ150DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 110 300 4,1m 65,7 - 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 79,4 150 7,8m 57 ±20 37 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 92,4 150 4,9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ438ADP-T1-GE3 SIJ438ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 169 300 1,75m 69,4 - 162 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ438DP-T1-GE3 SIJ438DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 80 200 1,75m 69,4 - 182 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ4409DP-T1-GE3 SIJ4409DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -34,9 -200 9,6m 32,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 91 300 1,9m 48 -16...20 34 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 39,3 100 11m 22,3 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ462DP-T1-GE3 SIJ462DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 46,5 100 12,5m 31,2 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ470DP-T1-GE3 SIJ470DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 58,8 150 10m 56,8 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 150 11,5m 62,5 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ4819DP-T1-GE3 SIJ4819DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -62 -145 38m 145 ±20 69 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 100 9,5m 69,4 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 36,8 100 27,2m 69,4 ±20 31 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 201 - 740µ 48 -16...20 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 131 200 2,3m 48 - 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA52DP-T1-GE3 SIJA52DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 2,3m 48 - 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 3,2m 36,7 - 104 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 109 150 3,95m 56,8 - 61 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA58DP-T1-GE3 SIJA58DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 109 150 3,6m 56,8 - 75 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA72ADP-T1-GE3 SIJA72ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 96 150 4,78m 56,8 - 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 81,2 - 3,99m 46,2 -16...20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 225 300 3,6m 333 ±20 160 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH400E-T1-GE3 SIJH400E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 509 800 520µ 385 -16...20 99 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH402E-T1-GE3 SIJH402E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 450 - 650µ - -16...20 - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH440E-T1-GE3 SIJH440E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 200 - 800µ 158 -16...20 279 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH5100E-T1-GE3 SIJH5100E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 277 500 2,14m 333 ±20 128 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 138 500 4,1m 333 -16...20 93 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 302 500 1,58m 333 ±20 155 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 373 500 1,15m 333 ±20 212 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH602E-T1-GE3 SIJH602E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 365 700 920µ 333 -16...20 130 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 299 350 1,8m 333 ±20 210 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 562 900 470µ 536 ±20 312 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 417 - 1,4m - ±20 131 PowerPAK® 1012 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 81 200 7,2m 100 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 79 200 7,4m 100 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR104LDP-T1-RE3 SIR104LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 81 200 7,7m 100 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR106ADP-T1-RE3 SIR106ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 45 80 16m 65,7 ±20 41,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR112DP-T1-RE3 SIR112DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 133 200 2,65m 62,5 - 89 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 106 200 4,5m 100 ±20 94 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 59,6 150 9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 62,3 150 9m 65,7 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 56,8 120 10,3m 62,5 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -65,7 -150 13m 56,8 ±25 87 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 100 500 900µ 104 - 170 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 110 300 3,97m 65,7 - 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 400 2,3m 83 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 400 2,3m 83 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 - 2,2m - -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 50 70 3,2m 69 ±20 123 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -120 7,5m 65,8 ±20 138 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 4m 48 ±20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -120 9,3m 65,8 ±25 111 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR170DP-T1-RE3 SIR170DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 200 5,85m 104 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24 60 10,5m 29,8 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 430 500 1,2m 104 - 310 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR180ADP-T1-RE3 SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 137 200 2,8m 83,3 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR180DP-T1-RE3 SIR180DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 150 2,5m 83,3 ±20 87 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR182DP-T1-RE3 SIR182DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 117 200 3,8m 69,4 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR182LDP-T1-RE3 SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 130 300 3,85m 83 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 73 100 7m 62,5 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR186DP-T1-RE3 SIR186DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 150 7,8m 57 ±20 37 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 80,3 150 6,3m 57 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 150 4,9m 65,7 ±20 44 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR188LDP-T1-RE3 SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 93,6 300 5,2m 65,7 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -50 -80 7,7m 39 ±12 310 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 70 8m 36 ±20 42 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -40 -60 11,5m 56,8 ±25 153 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 60 100 2,25m 104 ±12 47,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 35 60 6,3m 36 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 50 70 28m 53 ±20 117 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 50 70 4,2m 69 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 40 70 6m 39 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 40 70 6,6m 22,2 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 30 70 7,4m 41,7 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 30 70 10,5m 26,7 ±20 31 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 60 80 2,3m 83 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4406DP-T1-GE3 SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 78 - 4,75m - -16...20 23,7 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4409DP-T1-RE3 SIR4409DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -48,4 -200 9m 59,5 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 60 100 1,55m 66,6 ±20 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4411DP-T1-GE3 SIR4411DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -38,6 -150 11m 56,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR450DP-T1-RE3 SIR450DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 91 300 1,8m 48 -16...20 34 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4602LDP-T1-RE3 SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 52,1 150 12,5m 43 ±20 29 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4604LDP-T1-GE3 SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 51 100 12,4m 41,6 ±20 28 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 16 40 22,5m 31,2 ±20 13,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR4608DP-T1-GE3 SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 42,8 100 15m 39 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 6,1m 48 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 70 10m 41,7 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 50 70 3,8m 69 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 5,1m 54 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 100 2,3m 66,6 ±20 155 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 50 12m 29,8 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 350,8 500 680µ 104,1 - 180 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR500DP-T1-UE3 SIR500DP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 280,7 500 470µ 104,1 -12...16 54,3 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 110 300 5,6m 104 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5108DP-T1-RE3 SIR5108DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 44,7 120 10,5m 65,7 ±20 11,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 126 300 4,2m 104 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5110DP-T1-RE3 SIR5110DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 47,6 - 12,5m - ±20 12,8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5112DP-T1-RE3 SIR5112DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 40,7 - 14,9m - ±20 10,6 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR512DP-T1-BE3 SIR512DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 100 - 4,5m - ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 80,7 300 4,5m 96,2 ±20 30,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR514DP-T1-BE3 SIR514DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 67,8 250 5,8m 83,3 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 67,8 250 5,8m 83,3 ±20 23 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR516DP-T1-BE3 SIR516DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 63,7 - 8m - ±20 23,6 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 63,7 200 9m 71,4 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -105 - 3,2m 56,8 ±12 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -90,9 - 7m 104 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR5607DP-T1-UE3 SIR5607DP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -72,7 -250 7m 104 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR5623DP-T1-RE3 SIR5623DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -37,1 - 24m 4,8 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 33,8 80 27m 65,7 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR570DP-T1-BE3 SIR570DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 61,9 200 7,9m 104 ±20 35,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 77,4 200 8,5m 104 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5712DP-T1-GE3 SIR5712DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 14,9 25 55,5m 40 ±20 5,8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR572DP-T1-BE3 SIR572DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 47,8 180 10,8m 92,5 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR572DP-T1-RE3 SIR572DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 59,7 180 11,5m 92,5 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR574DP-T1-BE3 SIR574DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 38,4 150 13,5m 78 ±20 23,6 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR574DP-T1-RE3 SIR574DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 48,1 150 14,3m 78 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR576DP-T1-BE3 SIR576DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 33,8 120 16m 71,4 ±20 19 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR576DP-T1-RE3 SIR576DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 42,2 120 17m 71,4 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR578DP-T1-BE3 SIR578DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 56,1 200 8,8m 104 ±20 24,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR578DP-T1-RE3 SIR578DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 70,2 200 10m 104 ±20 49 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 137,5 300 4m 104 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5808DP-T1-RE3 SIR5808DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 53,5 150 7,35m 65,7 ±20 11,8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR580DP-T1-BE3 SIR580DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 146 - 2,7m - ±20 50,6 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 146 300 3,2m 104 ±20 76 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5810DP-T1-RE3 SIR5810DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 42,6 100 10m 56,8 ±20 9,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR5812DP-T1-RE3 SIR5812DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 36,2 70 13,5m 50 ±20 7,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR582DP-T1-BE3 SIR582DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 93 300 3,4m 92,5 ±20 33,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 116 300 3,9m 92,5 ±20 67 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR584DP-T1-BE3 SIR584DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 100 - 3,9m - ±20 36,7 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 100 250 4,7m 83,3 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR586DP-T1-BE3 SIR586DP-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 62,7 200 5,8m 71,4 ±20 19,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 62,7 200 5,3m 71,4 ±20 19,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR588DP-T1-RE3 SIR588DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 47,6 150 7,2m 59,5 ±20 14,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 38,7 80 20,5m 62,5 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 37 100 20m 44,5 ±20 36,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR608DP-T1-RE3 SIR608DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 208 400 1,8m 104 - 167 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 35,4 80 33,4m 104 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR616DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 20,2 50 53,5m 52 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR618DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 14,2 30 99m 48 ±20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR622DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 51,6 100 20,4m 104 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 51,6 100 20,4m 104 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR624DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 18,6 50 64m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 18,6 50 64m 52 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 165 300 3,4m 104 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 34,2 - 2,6m 4 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 186 400 2,1m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR626LDP-T1-UE3 SIR626LDP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 186 - 1,5m - ±20 89 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR632DP-T1-RE3 SIR632DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 29 50 41m 69,5 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 165 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR638DP-T1-RE3 SIR638DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,16m 104 - 204 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 350 2,5m 104 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 100 350 2,7m 66,6 ±20 96 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 150 9,5m 50 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 93,6 200 7m 104 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 95 200 5,05m 104 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 200 7,8m 56,8 ±20 63 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR680ADP-T1-RE3 SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 125 300 3,5m 104 ±20 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 100 200 3,4m 104 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 130 300 3,55m 104 ±20 135 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR680LDP-T1-UE3 SIR680LDP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 130 - 2,8m - ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -71,9 -125 16,7m 104 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 100 6m 83 ±20 66 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 34,4 80 39m 104 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR690DP-T1-RE3 SIR690DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 34,4 80 39m 104 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR692DP-T1-RE3 SIR692DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 24,2 50 67m 104 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR696DP-T1-GE3 SIR696DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 24,2 50 67m 104 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR698DP-T1-GE3 SIR698DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 7,5 10 230m 23 ±20 8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR770DP-T1-GE3 SIR770DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 8 35 25m 17,8 ±20 21 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR800ADP-T1-GE3 SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 177 150 4,6m 62,5 - 53 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 177 150 4,6m 62,5 - 53 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 50 80 3,4m 69 ±12 133 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR800DP-T1-RE3 SIR800DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 50 80 3,4m 69 ±12 133 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 100 10,3m 104 ±20 76 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 50 80 3,3m 69 ±20 95 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR820DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 70 6m 27,5 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 100 5,5m 66,6 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 80,8 200 6,2m 83 ±20 69 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 100 4,8m 66,6 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR826DP-T1-RE3 SIR826DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 - - 104 - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 86 200 6,2m 83 ±20 91 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 21 50 19m 10 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 200 9,5m 83 ±20 66 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR846BDP-T1-RE3 SIR846BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 65,8 150 9m 83,3 ±20 52 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR846DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 100 8,5m 104 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR862DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 50 70 3,5m 69 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 300 6,6m 66,6 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 300 10,5m 104 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 81 200 7,7m 100 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 100 7,8m 104 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -48 -300 28m 89 ±20 90 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 53,7 100 18m 66,6 ±20 47 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR872ADP-T1-RE3 SIR872ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 53,7 100 23m 104 ±20 47 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 53,7 100 20m 104 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -37 50 47,5m 66,6 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 40 80 14,5m 62,5 ±20 49 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 51,4 120 12,3m 71,4 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 12 80 14,4m 40 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 100 8,9m 83 ±20 72 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 100 8,5m 104 ±20 74 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 80 11,5m 83 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR882BDP-T1-RE3 SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 67,5 200 9,5m 83,3 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIR882DP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 80 11,5m 83 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 1,35m 66,6 -16...20 220 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA00DP-T1-RE3 SIRA00DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 830µ 104 -16...20 220 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -20,8 -150 8,2m 40 -20...16 112 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 50 100 2,7m 45,7 -16...20 117 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 80 3,1m 40 -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA06DDP-T1-UE3 SIRA06DDP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 240 2,2m 59 -16...20 14,4 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 80 3,5m 40 -16...20 77 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 150 5m 28 -16...20 36,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA10DDP-T1-GE3 SIRA10DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 77 150 3,1m 43 -16...20 24,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 140 5m 26 -16...20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 59 150 6m 24 -16...20 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 65 150 3,6m 38 -16...20 9,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 80 6m 20 -16...20 45 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 52 130 7,02m 23 -16...20 22 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA14DDP-T1-GE3 SIRA14DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 52 160 5,38m 36 -16...20 14 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 46 130 8,5m 20 -16...20 29 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24,5 70 13,5m 9,4 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 32 90 10,5m 11 -16...20 19 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DDP-T1-GE3 SIRA18DDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 32 90 6,83m 17 -16...20 6,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 26,3 70 12m 9,4 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA18DP-T1-RE3 SIRA18DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 33 70 - 14,7 -16...20 21,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 268 350 820µ 67 -12...16 186 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 100 500 820µ 66,6 -12...16 200 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 60 150 2,4m 40 -16...20 55 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 90 12m 11 -16...20 14 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 148 500 1,83m 42 -12...16 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 250 4,2m 28,5 -16...20 56 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 175 400 1,6m 64 -16...20 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA50DP-T1-RE3 SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 1,45m 64 -16...20 194 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 105 200 2,3m 30,7 -16...20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 2,3m 30,7 -16...20 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA54DP-T1-GE3 SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 3,2m 23,5 -16...20 104 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 87,3 150 3,95m 36,3 -16...20 61 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA58DP-T1-GE3 SIRA58DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 87,3 150 3,6m 36,3 -16...20 75 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DDP-T1-UE3 SIRA60DDP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 193 500 900µ 78 -16...20 39,1 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 1,35m 36 -16...20 125 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-RE3 SIRA60DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 45 400 940µ 57 -16...20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA60DP-T1-UE3 SIRA60DP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 45 400 940µ 57 -16...20 83 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA62DDP-T1-UE3 SIRA62DDP-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 153 400 1,22m 71 -16...20 20,8 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 80 300 1,85m 42 -12...16 93 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA64DP-T1-GE3 SIRA64DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 60 100 2,86m 17,8 -16...20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 100 2,1m 45 -16...20 19,7 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA72DP-T1-GE3 SIRA72DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 4,8m 36,3 -16...20 63 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 64,2 150 6,1m 29,6 -16...20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA80DP-T1-RE3 SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 268 500 930µ 66,6 -16...20 188 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 56 150 7,1m 23 -16...20 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 57,8 130 7,4m 22,2 -16...20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA88BDP-T1-GE3 SIRA88BDP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 32 90 10,5m 11 -16...20 19 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA88DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 36,4 100 10m 16 -16...20 25,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 1,15m 66,6 -16...20 153 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA90DP-T1-RE3 SIRA90DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 100 400 1,15m 66,6 -16...20 153 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA96DP-T1-GE3 SIRA96DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 65 12m 22,2 -16...20 31 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -156 -400 2,65m 66,6 -20...16 260 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 40 100 4,2m 29,6 -16...20 93 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRC06DP-T1-GE3 SIRC06DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 60 100 4m 32 -16...20 58 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 60 150 5,2m 27,5 -16...20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRC16DP-T1-GE3 SIRC16DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 25 60 250 1,4m 34,7 -16...20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 60 250 1,54m 34,7 -16...20 111 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS4300DP-T1-RE3 SIRS4300DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 544 800 400µ 278 -16...20 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS4301DP-T1-GE3 SIRS4301DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -182 -350 1,5m 132 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIRS4401DP-T1-GE3 SIRS4401DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -158 -350 2,2m 132 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIRS4600DP-T1-RE3 SIRS4600DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 287 500 1,15m 278 ±20 81 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 193 400 2,5m 278 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS510DPW-T1-RE3 SIRS510DPW-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 120 200 3,8m 171 ±20 32 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS5700DP-T1-RE3 SIRS5700DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 144 - 5,6m 8,3 ±20 73 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS5800DP-T1-GE3 SIRS5800DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 212 500 1,8m 240 ±20 61 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS580DPW-T1-RE3 SIRS580DPW-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 152 350 2,5m 171 ±20 38,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS700DP-T1-GE3 SIRS700DP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 102 350 3,5m 132 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIRS700DP-T1-RE3 SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 102 350 4,3m 84 ±20 130 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 16 40 22,5m 15 ±20 13,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 14,7 30 44m 15 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 11,4 20 70m 15 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 36,1 100 12,5m 33,3 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 26,9 70 20,3m 25 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 33,8 100 12,5m 25 ±12 19 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS178LDN-T1-GE3 SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 36,2 100 13,5m 25 ±20 28,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 52,2 100 7m 33,3 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30,6 70 12m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 70 8m 33 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS406DN-T1-GE3 SIS406DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12,2 50 14,5m 2,3 ±25 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -18 -70 9m 25 ±8 168 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS407DN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -25 -40 9,5m 21 ±8 93,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 35 60 6,3m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 30 24m 10 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -18 -70 13,2m 33 ±20 110 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS415DNT-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -80 9,5m 33 ±12 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -44,3 -110 21,3m 33 ±25 66 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS429DNT-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -20 -50 34m 17,8 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 17,6 60 7,6m 33 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -30 -80 14m 25 ±8 180 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 16 32 12,5m 17,5 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS4406DN-T1-GE3 SIS4406DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 62,8 - 4,75m - -16...20 23,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -35 -80 11,7m 33 ±20 135 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 70 4,3m 33 ±20 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -18 -100 12,5m 33 ±12 181 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 35 100 5,4m 33 ±20 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS4604LDN-T1-GE3 SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 36,7 100 12,4m 21,6 ±20 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS4608LDN-T1-GE3 SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 28,9 100 15,3m 17,4 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 29,2 60 32m 33,3 ±20 28 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS472ADN-T1-GE3 SIS472ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 24 60 10,5m 18 ±20 44 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS472BDN-T1-GE3 SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30,6 70 12,4m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 50 12,4m 18 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 80 3,5m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 40 100 7,5m 33 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 18 - 55,5m - ±20 7,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 100 - - - - ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIS606BDN-T1-GE3 SIS606BDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 28,2 80 20,5m 33,3 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS698DN-T1-GE3 SIS698DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 5,5 10 230m 12,7 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS780DN-T1-GE3 SIS780DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 18 50 17,5m 17,7 ±20 24,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS782DN-T1-GE3 SIS782DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 - 9,5m 41 ±20 30,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 30 30m 10 ±20 12 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 41,6 100 11m 25 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 40 100 12,5m 52 ±20 20,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 16 50 85m 33 ±20 14,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET - - -
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 19,8 40 29m 25 ±20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 30 60 23,5m 33 ±20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 28 - 47m 52 ±20 6,1 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 27 50 42m 43 ±20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -6 -40 40m 14,8 ±8 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS9122DN-T1-GE3 SIS9122DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 5,7 8 167m 11,4 ±20 6 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 6 40 26m 14,8 ±12 14 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS9446DN-T1-GE3 SIS9446DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 34 60 12m - -16...20 4,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 9,7 20 105m 16 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -150 8,2m 33 -20...16 84 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 80 3,1m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 80 5m 25 -16...20 51 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 80 4,3m 18 - 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA14BDN-T1-GE3 SISA14BDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 58 130 7,02m 29 -16...20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 80 8,5m 17 -16...20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30,6 70 12m 12,7 -16...20 21,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 60 150 2,4m 33 -16...20 55 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -16 -50 30m 15 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA40DN-T1-GE3 SISA40DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 129 150 42m 33 -8...12 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 74 150 4,66m 33,3 -16...20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 4,8m 33,3 -16...20 63 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 32,4 100 10m 12,7 -16...20 25,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISA96DN-T1-GE3 SISA96DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 12 65 12m 17 -16...20 31 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 27,3 70 15,8m 14,8 -16...20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISC06DN-T1-GE3 SISC06DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 40 100 4m 29,6 -16...20 58 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISD5110DN-T1-UE3 SISD5110DN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 55 - 9,5m - - - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISD5300DN-T1-GE3 SISD5300DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 198 - 870µ 5,4 ±16 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISD5806DN-T1-UE3 SISD5806DN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 51 150 6,9m 57 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 60 120 7m 44,4 -16...20 53 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 25 60 140 5,6m 44,4 -12...16 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISF04DN-T1-GE3 SISF04DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 86 190 6m 44,4 -12...16 60 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - drenă comună
SISF06DN-T1-GE3 SISF06DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 81 190 6,95m 44,4 -16...20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISF20DN-T1-GE3 SISF20DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 41 100 18,5m 44,4 ±20 33 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH101DN-T1-GE3 SISH101DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -80 13m 33 ±25 102 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH103DN-T1-GE3 SISH103DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -54 - 8,9m 41,6 ±25 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SISH106DN-T1-GE3 SISH106DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 15,6 60 9,8m 2 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 17,6 60 6,1m 2 ±16 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH110DN-T1-GE3 SISH110DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 16,9 60 7,8m 2 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH112DN-T1-GE3 SISH112DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 14,2 60 8,2m 2 ±12 27 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 60 9,8m 25 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 13,1 60 10m 2 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH129DN-T1-GE3 SISH129DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -60 20m 33,3 ±20 71 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 35 70 8m 33 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH407DN-T1-GE3 SISH407DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -25 -40 19,5m 21 ±8 93,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 35 60 6,3m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH434DN-T1-GE3 SISH434DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 35 60 9,2m 33 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH472DN-T1-GE3 SISH472DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 50 12,4m 18 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH536DN-T1-GE3 SISH536DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 54 200 4,6m 17 -12...16 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH615ADN-T1-GE3 SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -35 -80 9,8m 33 ±12 183 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -60 22,2m 33 ±25 59 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -35 -80 11m 33 ±20 126 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 16 40 34,7m 18,6 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 40 80 3,1m 43 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 80 5m 25 -16...20 51 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 80 6m 18 -16...20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISHA14DN-T1-GE3 SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 20 80 8,5m 17 -16...20 29 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS02DN-T1-GE3 SISS02DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 80 300 1,83m 42 -12...16 83 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 80 300 1,85m 42 -12...16 93 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -86,6 -300 5,8m 42 -20...16 115 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 138,1 300 2,03m 42 -16...20 77 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS08DN-T1-GE3 SISS08DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 156,4 300 1,87m 42 -16...20 82 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS10ADN-T1-BE3 SISS10ADN-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 86,8 150 2,65m 56,8 -16...20 40,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 86,8 150 3,95m 36 -16...20 61 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS10DN-T1-GE3 SISS10DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 3,6m 36 -16...20 75 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 200 2,74m 42 -16...20 89 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS176LDN-T1-UE3 SISS176LDN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 42,3 - 10,9m - ±12 12,6 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS178LDN-T1-UE3 SISS178LDN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 45,3 - 9,5m - ±20 18,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS22DN-T1-GE3 SISS22DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 72,5 150 5m 42 ±20 44 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 74 150 5,1m 42 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -50 -200 4,5m 36 ±8 300 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS26DN-T1-GE3 SISS26DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 150 7,8m 36 ±20 37 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 65 150 6,2m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS26LDN-T1-UE3 SISS26LDN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 65 150 6,2m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS27ADN-T1-GE3 SISS27ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -50 -200 8,1m 36 ±20 117 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -50 -200 9m 36 ±20 140 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS28DN-T1-GE3 SISS28DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 25 60 150 2,24m 36 -12...16 75 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 43,5 120 10,5m 36 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 43,5 120 10,3m 36 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 44 120 12,2m 36 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS30LDN-T1-UE3 SISS30LDN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 55,5 - 8,5m - ±20 32,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 50,3 120 8,7m 42 ±20 36 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 50,3 150 8,7m 42 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS32LDN-T1-BE3 SISS32LDN-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 50,3 150 9,5m 42 ±20 57 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 50,3 150 9,5m 42 ±20 57 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 29 60 26m 33 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS42DN-T1-GE3 SISS42DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 32,4 80 17m 36 ±20 38 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS42LDN-T1-GE3 SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 31,2 80 18m 36 ±20 48 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS4402DN-T1-UE3 SISS4402DN-T1-UE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 128 - 2,2m - -16...20 46,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS4409DN-T1-GE3 SISS4409DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -59,2 - 9m 56,8 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SISS4410DN-T1-GE3 SISS4410DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 36 - 9m - - 5,3 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 36,2 100 14,6m 42 ±20 42 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 45 86 300 4,1m 42 -16...20 70 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5108DN-T1-GE3 SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 55,9 120 12,4m 65,7 ±20 23 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5110DN-T1-GE3 SISS5110DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 46,3 - 12,6m 4,8 ±20 12,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5112DN-T1-GE3 SISS5112DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 32,6 70 14,9m 52 ±20 8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS52DN-T1-GE3 SISS52DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 162 - 1,2m 57 -12...16 65 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 148,5 300 1,5m 42 -12...16 72 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5708DN-T1-BE3 SISS5708DN-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 27 - 23m - ±20 12,8 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 27 80 23m 65,7 ±20 9,7 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5808DN-T1-GE3 SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 66,6 150 11m 65,7 ±20 24 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5810DN-T1-GE3 SISS5810DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 51 - 10m - ±20 12,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS5812DN-T1-GE3 SISS5812DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 42,8 - 13,5m - ±20 10 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS588DN-T1-BE3 SISS588DN-T1-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 46,5 150 8m 56,8 ±20 14,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS588DN-T1-GE3 SISS588DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 46,5 150 9,3m 36,3 ±20 28,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 145,4 200 2,01m 42,1 -12...16 85,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -89,6 -200 9,8m 42,1 ±8 231 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -102 -200 7m 42,1 ±12 236 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 40 100 2,86m 36 -16...20 68 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS65DN-T1-GE3 SISS65DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 75,2 -120 7,5m 42,1 ±20 138 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS66DN-T1-GE3 SISS66DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET + Schottky 30 142,6 200 2,19m 42,1 -16...20 85,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -60 -120 9,3m 42,1 ±25 111 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS70DN-T1-GE3 SISS70DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 125 24,8 50 29,8m 42,1 ±20 15,3 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -23 -40 59m 36 ±20 30 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SISS72DN-T1-GE3 SISS72DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 20,4 50 42m 42,1 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -12,9 -30 125m 42,1 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 54 120 6,9m 36 ±12 33,5 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS78LDN-T1-GE3 SISS78LDN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 70 53,3 120 7,8m 36 ±20 50 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 169 300 3m 42 -8...12 122 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 9,9 20 190m 42,1 ±20 16 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS94DN-T1-GE3 SISS94DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 15,6 25 78m 42,1 ±20 21 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET, TrenchFET® - - -
SISS98DN-T1-GE3 SISS98DN-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11,2 30 110m 36 ±20 18,2 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - ThunderFET - - -
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -0,5 -1 3,5 1,25 ±12 2 PowerPAK® 0806-3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIUD402ED-T1-GE3 SIUD402ED-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 1 1,4 1,8 1,25 ±8 1,2 PowerPAK® 0806-3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIUD403ED-T1-GE3 SIUD403ED-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -0,5 -0,8 4,4 1,25 ±8 1,7 PowerPAK® 0806-3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 0,5 0,8 1,85 1,25 ±8 0,6 PowerPAK® 0806-3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIUD412ED-T1-GE3 SIUD412ED-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 12 0,5 1,5 2,5 1,25 ±5 0,71 PowerPAK® 0806-3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ200DT-T1-GE3 SIZ200DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 61 130 7,7m/7,3m 33 - 30/28 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 48 100 13,3m/12,25m 33 - 22/23 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ250DT-T1-GE3 SIZ250DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 38 80 18,87m/18,11m 33 ±20 21 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ254DT-T1-GE3 SIZ254DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 70 9,4 60 16,1m 33 ±20 6,1 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 70 31,8 60 20m 33 ±12 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 80 24,7 60 31m 33 ±20 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ270DT-T1-GE3 SIZ270DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 19,5 40 54,1m/51,7m 33 ±20 27 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 25 30/40 80...120 12,7m/6,58m 16,7/31 - 15/26,7 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 25 30 100 9m 16,7 - 20,1 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 33,4/69,7 100...150 14,4m/6,2m 16,7/31 - 27,9/12,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ340BDT-T1-GE3 SIZ340BDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 36/69,3 100...150 14,03m/6,7m 16,7/31 - 23,5/12,6 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ340DDT-T1-GE3 SIZ340DDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 - - - - - - PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 30/40 100...150 13,7m/7m 16,7/31 - 19/35 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ342ADT-T1-GE3 SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 33,4 100 14,4m 16,7 - 12,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ342BDT-T1-GE3 SIZ342BDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 26,3 100 9,65m 16,7 -16...20 8,4 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - asimetrică
SIZ342DDT-T1-GE3 SIZ342DDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 26,9 100 - 16,7 -16...20 3,7 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - asimetrică
SIZ342DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 30 100 15,3m 16,7 - 20 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 17/30 25...100 15,3m/37m 16/16,7 ±20 10/20 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 30 100 10,19m 16,7 - 18,2 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 30 100 9,44m 16,7 - 20,3 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ902DT-T1-GE3 SIZ902DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 16 50...80 14,5m/8,3m 29/66 ±20 21/65 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 12/16 30...40 30m/17m 20/33 ±20 12/23 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 16/28 50...110 14,5m/4,5m 29/100 ±20 21/105 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 25 40/60 100...170 7,9m/3,35m 20,2/40 - 19/41 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ980BDT-T1-GE3 SIZ980BDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 54,8/197 90...130 7,12m/1,72m 20/66 - 18/79 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 20/60 90...130 10m/2,2m 20/66 - 18/77 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZ988DT-T1-GE3 SIZ988DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 - - - - -16...20 - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 20/60 90...130 10m/3,8m 20,2/32,9 - 18/44,3 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 75/141 150...200 7m/2,57m 48/74 - 22/62 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF4412DT-T1-GE3 SIZF4412DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 61,7 150 5,3m 56,8 -16...20 8 PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - asimetrică
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 80 8 40 19m 56,8 ±20 15 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF640DT-T1-GE3 SIZF640DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 127 300 1,37m 62,5 -16...20 - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - asimetrică
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 60 80...100 5,3m/1,58m 38/83 - 49/200 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIZF906DDT-T1-GE3 SIZF906DDT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 - - - - - - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SIZF906DT-T1-GE3 SIZF906DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 60 80...100 5,3m/1,58m 38/83 - 49/200 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF914DT-T1-GE3 SIZF914DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 25 40/60 130...110 6,2m/1,5m 26,6/60 - 21/98 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 40/60 130...110 6,8m/1,75m 26,6/60 - 22/95 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF918DT-T1-GE3 SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 + Schottky 30 40/60 130...100 6,8m/2,7m 26,6/50 - 22/56 PowerPAIR® 3x3 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 - 150...400 - - -12...16 - PowerPAIR® 6x5 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - asimetrică
SQ1421EDH-T1-GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1 - 290m 0,5 ±20 3,6 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SQ1431EH-T1-GE3 SQ1431EH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -3 -12 300m 3 ±20 6,5 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ1464EEH-T1-GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 0,44 - 1,41 0,43 ±8 4,1 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ1470AEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 1,7 6,7 115m 3,3 ±12 5,2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ1539EH-T1-GE3 SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30/-30 0,85/-0,85 - 1,8/380m 1,5 ±20 1,6/1,4 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ1563AEH-T1-GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 20 - - - 1,5 ±8 - SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ1902AEL-T1-GE3 SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,45 3 415m 0,43 ±12 1,2 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ1912AEEH-T1-GE3 SQ1912AEEH-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,8 3 200m 1,5 ±12 1,25 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ1922AEEH-T1-GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 0,53 3,3 300m 1,5 ±12 0,9 SC70-6, SOT363 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ2301CES-T1-GE3 SQ2301CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,9 - 120m 3 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2301ES-T1-BE3 SQ2301ES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,2 -15 120m 3 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2301ES-T1-GE3 SQ2301ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -2,2 - 120m 1 ±8 8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2303CES-T1-GE3 SQ2303CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,5 - 170m 1,9 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2303ES-T1-GE3 SQ2303ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,5 -10 370m 1,9 ±20 6,8 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ2308CES-T1-BE3 SQ2308CES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 2,3 - 150m 2 ±20 3,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 2 9 325m 2 ±20 3,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ2308FES-T1-GE3 SQ2308FES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,3 9 150m 2 -20...20 5,3 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2309CES-T1-BE3 SQ2309CES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1 -6,8 335m 2 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2309ES-T1-GE3 SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,7 -6,8 704m 2 ±20 8,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ2310CES-T1-GE3 SQ2310CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 3,5 24 30m 2 ±8 4,95 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2315CES-T1-GE3 SQ2315CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -5 - 50m 2 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2315ES-T1-BE3 SQ2315ES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -3 -20 50m 2 ±8 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2315ES-T1-GE3 SQ2315ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -5 -20 75m 0,67 ±8 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQ2318CES-T1-GE3 SQ2318CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 4 28 63m 1 ±20 13 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQ2319ADS-T1-BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -4,6 - 75m 2,5 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2319CES-T1-GE3 SQ2319CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -2,6 -18 145m 1 ±20 16 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQ2325ES-T1-GE3 SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -150 -1 -2 4,4 1 ±20 10 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQ2337CEST1GE3 SQ2337CEST1GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -2,2 - 290m 3 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2348CES-T1-BE3 SQ2348CES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8 - 24m 3 - - SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ2348CES-T1-GE3 SQ2348CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 8 - 24m 3 ±20 8,15 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2351CES-T1-GE3 SQ2351CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,2 - 115m 2 ±12 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2351ES-T1-GE3 SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,8 - 115m 2 ±12 5,5 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2361CEES-T1-BE3 SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -1,6 -11 170m 2 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2361CES-T1-BE3 SQ2361CES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,8 - 177m 2 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2361CES-T1-GE3 SQ2361CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -2,8 - 177m 2 ±20 - SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ2362CES-T1-GE3 SQ2362CES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 4,3 - 68m 3 ±20 8,1 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2364EES-T1-GE3 SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 1,3 - 245m 1 ±8 2 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SQ2389ES-T1-GE3 SQ2389ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -4,1 -16 169m 1 ±20 12 SOT23 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQ2398ES-T1-BE3 SQ2398ES-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,6 6,6 300m 2 ±20 3,4 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ2398ES-T1-GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 1,6 2,5 720m 2 ±20 3,4 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3410EV-T1-GE3 SQ3410EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 6,8 32 17,5m 5 ±20 14 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ3418AEEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 5 32 26m 5 ±20 8,2 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ3418EV-T1-GE3 SQ3418EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 5 32 26m 5 ±20 12,7 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ3419AEEV-T1-BE3 SQ3419AEEV-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -4 -27 61m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3419AEEV-T1-GE3 SQ3419AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -6,9 - 48m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3419CEV-T1-GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -6,9 - 58m 5 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3425CEV-T1-GE3 SQ3425CEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -7,4 - 60m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3426EV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 7 29 71m 5 ±20 6,3 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3427AEEV-T1-GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,3 -21 178m 1,6 ±20 22 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto ESD -
SQ3427CEV-T1-GE3 SQ3427CEV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,3 - 95m 5 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3427EV-T1-GE3 SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -5,3 -21 178m 5 ±20 22 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3457EV-T1-BE3 SQ3457EV-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,8 -27 100m 5 ±20 21 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3457EV-T1-GE3 SQ3457EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -6,8 -27 100m 5 ±20 21 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3461EV-T1-GE3 SQ3461EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -6,6 - 25m 1,67 ±8 28 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3481EV-T1-BE3 SQ3481EV-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7,5 -30 70m 4 ±20 23,5 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3493EV-T1-GE3 SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -8 -32 34m 5 ±12 34 SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ3495EV-T1-GE3 SQ3495EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -7 -32 21m 5 ±12 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ3989EV-T1-GE3 SQ3989EV-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -2,5 - 140m 1,67 ±20 - SC74, TSOP6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4050EY-T1-BE3 SQ4050EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 19 - 6,3m 6 ±20 34 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4050EY-T1-GE3 SQ4050EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 19 75 15m 6 ±20 51 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ4064EY-T1-BE3 SQ4064EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6,9 25 19,8m 6,8 ±20 29 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4064EY-T1-GE3 SQ4064EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 6,9 25 16,5m 6,8 ±20 29 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4080EY-T1-GE3 SQ4080EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 18 72 70m 7,1 ±20 25 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4153EY-T1-BE3 SQ4153EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -14 -100 8,32m 7,1 ±8 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4153EY-T1-GE3 SQ4153EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -14 - 8,32m 2,3 ±8 151 SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4182EY-T1-BE3 SQ4182EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 18 100 3,8m 7,1 ±20 72 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4184EY-T1-GE3 SQ4184EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 16,9 84 4,6m 7,1 ±20 110 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4282EY-T1-BE3 SQ4282EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 8 32 21m 3,9 ±20 47 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ4282EY-T1-GE3 SQ4282EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 8 32 12,3m 3,9 ±20 - SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQ4284EY-T1-BE3 SQ4284EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 7,4 - 13,5m 3,9 ±20 30 SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 7,4 - 13,5m 3,9 ±20 30 SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4401CEY-T1-GE3 SQ4401CEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -17,3 - 14m 7,14 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4410EY-T1-GE3 SQ4410EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 9 60 9m 5 ±20 53 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4431EY-T1-BE3 SQ4431EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -10,8 - 22m 6 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -10,8 - 22m 6 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4435EY-T1-GE3 SQ4435EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -15 - 13m 6,8 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 67 12m 7,1 ±20 45 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4483BEEY-T1-GE3 SQ4483BEEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -22 - 7m 7 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4483EY-T1-GE3 SQ4483EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -30 - 7m 7 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4532AEY-T1-BE3 SQ4532AEY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30 - - - 3,3 ±20 - SO8 SMD - - - - - - - -
SQ4532AEY-T1-GE3 SQ4532AEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 30 - - - 3,3 ±20 - SOIC8 SMD - - - - - - - -
SQ4840CEY-T1-GE3 SQ4840CEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12 82 6,2m 7,1 ±20 44,8 SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4917CEY-T1-GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -8 -32 48m 5 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQ4937EY-T1-GE3 SQ4937EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -5 -20 75m 3,3 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 5,3 32 29m 1,3 ±20 43 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQ4940CEY-T1-GE3 SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 8 - 24m 4 ±20 11,2 SO8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQ4949EY-T1-GE3 SQ4949EY-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -4,3 - - - ±30 - SO8 SMD - - - - - - - -
SQ4961EY-T1-GE3 SQ4961EY-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -4,4 -18 176m 3,3 ±20 40 SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ7414CENW-T1-GE3 SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 18 72 50m 62 ±20 25 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQ9407EY-T1-BE3 SQ9407EY-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -4,6 - 115m 3,75 ±20 - SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQA401EEJ-T1-GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -1,55 - 113m 4,5 ±8 5,3 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQA401EJ-T1-GE3 SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -3,75 -12 125m 13,6 ±12 - SC70-6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQA403CEJW-T1-GE3 SQA403CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -10 - 24,4m 13,6 ±20 - SC70-6 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQA405CEJW-T1-GE3 SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -9 -36 72,7m 13,6 ±20 34 - SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQA410CEJW-T1-GE3 SQA410CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 7,8 - 45,4m 13,6 ±8 5,1 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA410EJ-T1-GE3 SQA410EJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 7,8 24 28m 13,6 ±8 8 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA411CEJW-T1-GE3 SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -6,46 -20 326,1m 13,6 ±20 15,5 - SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQA413CEJW-T1-GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -7,5 -30 58,6m 13,6 ±12 16 - SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQA440CEJW-T1-GE3 SQA440CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 9 36 14,4m 13,6 ±20 11,4 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA442EJ-T1-GE3 SQA442EJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 - 32m 13,6 ±20 9,7 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA444CEJW-T1-GE3 SQA444CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 - 39m 13,6 ±20 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA446CEJW-T1-GE3 SQA446CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 9 - 17,5m 13,6 ±20 6,5 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA448CEJW-T1-GE3 SQA448CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 9 36 39m 13,6 ±20 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA450CEJW-T1-GE3 SQA450CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 9 36 19m 13,6 ±20 12 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA460CEJW-T1-GE3 SQA460CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 5,84 26 57m 13,6 ±20 10 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA470CEJW-T1-GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,25 - 65m 13,6 ±12 4,6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA470EEJ-T1-GE3 SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,25 - 56m 13,6 ±12 4,1 PowerPAK® SC70 SMD rolă, bandă - - - - - ESD -
SQA470EJ-T1-GE3 SQA470EJ-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 2,25 9 65m 13,6 ±12 6 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQA600CEJW-T1-GE3 SQA600CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 9 - 56,7m 13,6 ±20 9 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQAA42CEJW-T1-GE3 SQAA42CEJW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 8,8 40 30m 13,6 ±20 12 PowerPAK® SC70 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD07N25-350H-GE3 SQD07N25-350H_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 4 15 350m 71 ±30 29 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD100N04-3M6-GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 - 3m 136 ±20 105 DPAK, TO252 SMD - - - - - domeniul auto - -
SQD100N04-3M6L-GE3 SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 100 400 7m 136 ±20 130 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQD10N30-330H-GE3 SQD10N30-330H_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 300 5 16 330m 107 ±30 31 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -11 - 55m 15 ±20 27 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 13 90 31m 37 ±20 16 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD25N06-22L-GE3 SQD25N06-22L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 20 100 22m 62 ±20 33 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD25N15-52-GE3 SQD25N15-52_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 16 - 52m 107 ±20 34 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD30N05-20L-GE3 SQD30N05-20L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 55 30 120 43m 50 ±20 18 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQD40031EL-GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -94 - 3,2m 45 ±20 186 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD40052EL-GE3 SQD40052EL_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 30 120 10,7m 62 ±20 52 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQD40061EL-T4-GE3 SQD40061EL-T4_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -100 - 5,1m 107 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 29 160 14m 75 ±20 34 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD40N10-25-GE3 SQD40N10-25_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 26 160 25m 136 ±20 70 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD45P03-12-GE3 SQD45P03-12_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -37 - 10m 23 ±20 55,3 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50N04-5M6-GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 50 - 4,6m 71 ±20 85 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 50 32 - 11m 75 ±20 34,6 DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50N10-8M9L-GE3 SQD50N10-8M9L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 49 200 8,9m 136 ±20 70 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQD50P03-07-GE3 SQD50P03-07_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -50 - 5m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -39 -200 13m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQD50P06-15L-GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -50 -200 32m 45 ±20 150 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQD50P08-28-GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -28 -190 28m 45 ±20 145 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQD90P04-9M4L-GE3 SQD90P04-9M4L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -90 - 7,5m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD - - - - - - - -
SQJ110EP-T1-GE3 SQJ110EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 98 224 6,3m 500 ±20 75 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ114ELP-T1-GE3 SQJ114ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 33 126 12,1m 115 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ116EP-T1-GE3 SQJ116EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 21 59 23m 88 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ118ELP-T1-GE3 SQJ118ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 36 - 395m 75 ±10 60 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ118EP-T1-GE3 SQJ118EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 38 - - 500 - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ120ELP-T1-GE3 SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 206 - 1,74m 130 ±20 74 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ120EP-T1-GE3 SQJ120EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 202 - 1,8m 130 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ122ELP-T1-GE3 SQJ122ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 58 350 - 60 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ122EP-T1-GE3 SQJ122EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 98 - 3,5m 60 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ126EP-T1-GE3 SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 500 776 2m 500 ±20 152 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ128ELP-T1-GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 437 - 1,16m 500 ±20 99 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ131ELP-T1-GE3 SQJ131ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -300 - 3m 500 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ136ELP-T1-GE3 SQJ136ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 350 600 1,12m 500 ±20 107 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ138ELP-T1-GE3 SQJ138ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 182 534 1,5m 500 ±20 78 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ138EP-T1-GE3 SQJ138EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 195 434 1,8m 312 ±20 58 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ140EP-T1-GE3 SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 154 385 2,1m 263 ±20 49,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ141ELP-T1-GE3 SQJ141ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -134 -322 4,8m 500 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ142ELP-T1-GE3 SQJ142ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 175 - 2,8m 190 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ142EP-T1-GE3 SQJ142EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 97 315 3,6m 191 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ144EP-T1-GE3 SQJ144EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 75 238 4,6m 148 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ146ELP-T1-GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 88 - 5,8m 75 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ146EP-T1-GE3 SQJ146EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 43 200 7m 75 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ146EP-T1-JE3 SQJ146EP-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 43 200 7m 75 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ148EP-T1-GE3 SQJ148EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 14 40 27m 45 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ152ELP-T1-GE3 SQJ152ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 123 - 5m 136 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ152EP-T1-GE3 SQJ152EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 66 189 5,1m 136 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ154EP-T1-GE3 SQJ154EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 140 970 2,5m 214 ±20 43 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ158EP-T1-GE3 SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 13 - 33m 45 ±20 17 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ161ELP-T1-GE3 SQJ161ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -118 - 8,8m 245 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ162EP-T1-GE3 SQJ162EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 166 - 5m 250 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ164ELP-T1-GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 75 130 33m 187 ±20 57 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ166ELP-T1-GE3 SQJ166ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 67 - 9,7m 89 ±20 19 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ170ELP-T1-GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 63 66 34m 136 ±20 12 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ174EP-T1-GE3 SQJ174EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 169 335 2,9m 500 ±20 54 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ182EP-T1-GE3 SQJ182EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 210 - 5m 395 ±20 64 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ185ELP-T1-GE3 SQJ185ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -62 - 19,5m 145 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ186ELP-T1-GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 38 112 125m 135 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ186EP-T1-GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 60 - 15m 135 ±20 24 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ200EP-T1-GE3 SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ200EP-T1-JE3 SQJ200EP-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 20 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ202EP-T1-GE3 SQJ202EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 12 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ204EP-T1-GE3 SQJ204EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 12 - - - - ±12 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ208EP-T1-GE3 SQJ208EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 - - - - - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ244EP-T1-GE3 SQJ244EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ262EP-T1-GE3 SQJ262EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 - - - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ401EP-T1-GE3 SQJ401EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -32 - 5m 83 ±8 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ402EP-T1-GE3 SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 32 - 11m 83 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ403EP-T1-GE3 SQJ403EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -30 - 7m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ407EP-T1-GE3 SQJ407EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -56 -155 4,4m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ409EP-T1-BE3 SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -60 -150 12,6m 68 ±20 260 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ409EP-T2-GE3 SQJ409EP-T2_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -60 - 7m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ410EP-T1-GE3 SQJ410EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 32 - 3,5m 83 ±20 110 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ411EP-T1-GE3 SQJ411EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -12 -60 - 4,8m 68 ±8 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ414EP-T1-GE3 SQJ414EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 25 90 12m 45 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ415EP-T1-BE3 SQJ415EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -23 -120 14m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ420EP-T1-GE3 SQJ420EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 26,8 110 10m 45 ±20 41 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ422EP-T1-BE3 SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 75 300 8,9m 83 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ422EP-T1-GE3 SQJ422EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 62 300 3,4m 83 ±20 67 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ423EP-T1-BE3 SQJ423EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -55 - 14m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ423EP-T1-GE3 SQJ423EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -31 -100 14m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ431AEP-T1-BE3 SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -9,4 -60 763m 68 ±20 85 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ431EP-T1-GE3 SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -200 -12 -40 527m 27 ±20 106 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQJ433EP-T1-GE3 SQJ433EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -75 - 6,4m 83 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ443AEP-T1-GE3 SQJ443AEP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -24 - 8,1m 27 ±10 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ443EP-T1-GE3 SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -23 - 29m 28 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ443EP-T2-GE3 SQJ443EP-T2_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -40 - 29m 83 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ444EP-T1-GE3 SQJ444EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 3,2m 68 ±20 51 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ446EP-T1-GE3 SQJ446EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 35 200 3,7m 46 ±20 48 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ454EP-T1-BE3 SQJ454EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 7,5 30 145m 68 ±20 56 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ456EP-T1-GE3 SQJ456EP-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 32 - 21m 83 ±20 63 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ457EP-T1-BE3 SQJ457EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -36 - 25m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ457EP-T1-GE3 SQJ457EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -36 -100 50,4m 22 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQJ459EP-T1-BE3 SQJ459EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -52 -200 31m 83 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ459EP-T1-GE3 SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -52 -200 31m 27 ±20 108 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQJ460AEP-T1-GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 33,4 180 8,7m 68 ±20 71 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ461EP-T1-GE3 SQJ461EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -30 -120 32m 27 ±20 140 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -30 -120 18m 28 ±20 150 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8 - 85m 15 ±20 26,5 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ474EP-T1-GE3 SQJ474EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 15 65 30m 45 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ476EP-T1-GE3 SQJ476EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 13 - 38m 45 ±20 10 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ479EP-T1-BE3 SQJ479EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -32 - 33m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ481EP-T1-BE3 SQJ481EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -16 - 80m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ481EP-T1-GE3 SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -9,2 - 80m 15 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ486EP-T1-GE3 SQJ486EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 75 17 - 26m 56 ±20 22 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ488EP-T1-BE3 SQJ488EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 24 170 21m 83 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ488EP-T1-GE3 SQJ488EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 24 170 21m 83 ±20 18 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ500AEP-T1-BE3 SQJ500AEP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40 - - - 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ500AEP-T1-GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40 - - - 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ504EP-T1-BE3 SQJ504EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ504EP-T1-GE3 SQJ504EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 40 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ560EP-T1-GE3 SQJ560EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N/P-MOSFET 60 - - - 34 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ840EP-T1-GE3 SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 30 - 7,5m 46 ±20 38 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ848EP-T1-GE3 SQJ848EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 47 - 7,5m 68 - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ858AEP-T1-GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 33 - 6,3m 48 ±20 36 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJ858EP-T1-GE3 SQJ858EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 43 200 6m 68 ±20 39 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ868EP-T1-BE3 SQJ868EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 58 - - 48 - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ868EP-T1-GE3 SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 58 230 15m 48 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 - 3,6m 55 ±20 65 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJ914EP-T1-GE3 SQJ914EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 30 19 90 12m 27 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ942EP-T1-GE3 SQJ942EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 - 60...180 - - ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ951EP-T1-BE3 SQJ951EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -30 -28 -120 14m 56 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ963EP-T1-GE3 SQJ963EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 -8 -32 85m 27 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJ974EP-T1-GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 17 - 25,5m 16 ±20 15 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJA02EP-T1-GE3 SQJA02EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 60 - 4m 68 ±20 80 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA04EP-T1-GE3 SQJA04EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 75 - 6,2m 68 ±20 35 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA06EP-T1-GE3 SQJA06EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 57 - 7,2m 55 ±20 27 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA16EP-T1-GE3 SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 278 575 6,5m 500 ±20 84 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJA34EP-T1-GE3 SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 54 140 4,3m 68 ±20 50 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA36EP-T1-GE3 SQJA36EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 350 - 1,24m 500 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA36EP-T1-JE3 SQJA36EP-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 350 - 1,24m 500 ±20 86 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJA37EP-T1-GE3 SQJA37EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -30 -120 9,2m 45 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJA38EP-T1-GE3 SQJA38EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 - 6,7m 68 ±20 48,2 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA42EP-T1-GE3 SQJA42EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 20 80 9,4m 27 ±20 33 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA46EP-T1-GE3 SQJA46EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 60 150 3m 68 ±20 105 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA60EP-T1-BE3 SQJA60EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 24,6 84 12,5m 45 ±20 30 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA61EP-T1-GE3 SQJA61EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -54,5 - 12,1m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJA62EP-T1-GE3 SQJA62EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 48 140 3,7m 68 ±20 55 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA64EP-T1-GE3 SQJA64EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15 - 25,9m 45 ±20 7,6 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA66EP-T1-GE3 SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 75 - 3m 68 ±20 64,9 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA70EP-T1-GE3 SQJA70EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 8,5 18 95m 45 ±20 7 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA76EP-T1-GE3 SQJA76EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 65,6 200 2,4m 68 ±20 100 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA78EP-T1-GE3 SQJA78EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 41,5 288 5,3m 68 ±20 62 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA81EP-T1-GE3 SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -46 - 17,3m 68 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJA82EP-T1-BE3 SQJA82EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 36 120 8,2m 68 ±20 40 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA82EP-T1-GE3 SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 36 120 8,2m 68 ±20 60 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA84EP-T1-BE3 SQJA84EP-T1_BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 46 - - 55 - - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA86EP-T1-GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 20 84 19m 48 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA92EP-T1-GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 33 150 9,5m 68 ±20 45 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJA96EP-T1-GE3 SQJA96EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 19,4 80 21,5 48 ±20 25 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJB00EP-T1-GE3 SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 25 84 10,5m 48 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJB02ELP-T1-GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 30 - 7,5m 27 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJB04ELP-T1-GE3 SQJB04ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 22 120 11m 27 ±20 20 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJB44EP-T1-JE3 SQJB44EP-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 30 120 5,2m 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJB48EP-T1-JE3 SQJB48EP-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 30 - 5,2m 48 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJB70EP-T1-GE3 SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 100 6,5 - 95m 9 ±20 4 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ100EL-T1-GE3 SQJQ100EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 200 - 900µ 150 ±20 220 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ100E-T1-GE3 SQJQ100E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 200 - 900µ 150 ±20 220 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ114EL-T1-GE3 SQJQ114EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 136 - 5,5m 277 ±20 102 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ116EL-T1-GE3 SQJQ116EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 35 212 9,2m 91 ±20 70 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ130EL-T1-GE3 SQJQ130EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 445 445 900µ 600 ±20 455 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ131EL-T1-GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -280 - 1,4m 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ140ER-T1-GE3 SQJQ140ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 238 1653 650µ 214 ±20 192 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ140E-T1-GE3 SQJQ140E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 701 - 530µ 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ140E-T1-JE3 SQJQ140E-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 701 - 530µ 600 ±20 192 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ141EL-T1-GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -390 - 2m 600 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ142ER-T1-GE3 SQJQ142ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 345 - 1,24m 277 ±20 92 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ142E-T1-GE3 SQJQ142E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 460 - 1m 500 ±20 92 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ144AER-T1-GE3 SQJQ144AER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 330 1800 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ144AE-T1-GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 575 - 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ144AE-T1-JE3 SQJQ144AE-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 575 - 900µ 600 ±20 116 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ146E-T1-GE3 SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 281 1166 700µ 300 ±20 - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ148ER-T1-GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 214 670 1,5m 394 ±20 68 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ148E-T1-GE3 SQJQ148E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 190 750 1,6m 325 ±20 69 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ148E-T1-JE3 SQJQ148E-T1_JE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 375 - 1,3m 325 ±20 69 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160EL-T1-GE3 SQJQ160EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 461 - 800µ 348 - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160ER-T1-GE3 SQJQ160ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 363 - 800µ 214 - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ160E-T1-GE3 SQJQ160E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 347 655 850µ 600 ±20 183 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ181EL-T1-GE3 SQJQ181EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -175 - 5,5m 348 ±20 - PowerPAK® SO8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ184ER-T1-GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 250 1200 1,4m 600 ±20 183 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ184E-T1-GE3 SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 430 1200 3,3m 600 ±20 272 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQJQ186ER-T1-GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 329 - 2,3m 600 ±20 123 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ186E-T1-GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 141 770 1,9m 357 ±20 123 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ402E-T1-GE3 SQJQ402E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 127 300 1,7m 150 ±20 169 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ404E-T1-GE3 SQJQ404E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 200 - 1,72m 150 ±20 175 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ466E-T1-GE3 SQJQ466E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 118 500 1,7m 150 ±20 135 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ510E-T1-GE3 SQJQ510E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 165 793 1,86m 348 ±20 86 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQJQ900E-T1-GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 60 - 3,9m 25 ±20 85 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ904E-T1-GE3 SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 100 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ906EL-T1-GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 160 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ906E-T1-GE3 SQJQ906E-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 95 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ936EL-T1-GE3 SQJQ936EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 100 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ960EL-T1-GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 36 - 9m 24 ±20 19 PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQJQ980EL-T1-GE3 SQJQ980EL-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 80 36 - - - - - PowerPAK® 8x8L SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM100N04-2M7-GE3 SQM100N04-2M7_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 98 - 2,7m 157 ±20 95,5 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM100P10-19L-GE3 SQM100P10-19L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -53 - 19m 125 ±20 220 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 55 64 443 6m 157 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 120 - 1,4m 375 ±20 - D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM120N04-1M9-GE3 SQM120N04-1M9_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 120 480 1,9m 300 ±20 180 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM120N06-3M5L-GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 - 3,5m 375 ±20 220 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM120N10-09-GE3 SQM120N10-09_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 73 480 7,9m 375 ±20 120 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM120N10-3M8-GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 120 - 3,8m 375 ±20 125 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -120 -480 13m 125 ±20 270 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - domeniul auto - -
SQM35N30-97-GE3 SQM35N30-97_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 300 20 75 97m 375 ±20 86 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM40022EM-GE3 SQM40022EM_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 125 300 1,63m 150 ±20 106 TO263-7 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM40061EL-GE3 SQM40061EL_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -72 -300 5,1m 150 ±20 - D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQM50020EL-GE3 SQM50020EL_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 300 2m 375 ±20 200 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM50N04-4M0L-GE3 SQM50N04-4M0L_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 50 - 4m 150 - - D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM60N20-35-GE3 SQM60N20-35_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 35 100 35m 375 ±20 135 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQM70060EL-GE3 SQM70060EL_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 67 180 5,9m 166 ±20 66 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQRS140ELP-T1-GE3 SQRS140ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 291 1342 0,6m 266 ±20 196 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQRS152ELP-T1-GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 58 - 5m 35 ±20 34 PowerPAK® SO8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS110ENW-T1-GE3 SQS110ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 57 - 13,2m 119 ±20 34 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS121ELNW-T1-GE3 SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -20 -114 - 5m 119 ±12 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQS124ELNW-T1-GE3 SQS124ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 62 298 3m 79 ±20 36 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS140ELNW-T1-GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 88 350 2,53m 119 ±20 80 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS140ENW-T1-GE3 SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 87 350 2,53m 119 ±20 38 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS141ELNW-T1-GE3 SQS141ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -79 -227 19m 119 ±20 141 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQS142ENW-T1-GE3 SQS142ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 110 271 9,5m 113 ±20 35 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQS146ELNW-T1-GE3 SQS146ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 54 203 5,2m 91 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS146ENW-T1-GE3 SQS146ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 88 - 6m 91 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS150ELNW-T1-GE3 SQS150ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 83 368 2,8m 117 ±20 40 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS150ENW-T1-GE3 SQS150ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 78 368 3,2m 117 ±20 61 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS164ELNW-T1-GE3 SQS164ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 47 192 7,4m 104 ±20 27 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS166ELNW-T1-GE3 SQS166ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 41 156 8,9m 91 ±20 32 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS174ELNW-T1-GE3 SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 72 50 219 5,5m 103 ±20 46 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS180ELNW-T1-GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 47 189 7,1m 119 ±20 45 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS180ENW-T1-GE3 SQS180ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 41 205 8,67m 119 ±20 56 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS181ELNW-T1-GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -44 - 31m 119 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQS201CENW-T1-GE3 SQS201CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -11,4 -46 80m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQS407ENW-T1-GE3 SQS407ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -16 - 10,8m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQS414CENW-T1-GE3 SQS414CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 15,5 55 23m 33 ±20 14 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS420EN-T1-GE3 SQS420EN-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 20 8 32 23,5m 18 ±8 14 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS423ENW-T1-GE3 SQS423ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -30 -12 -64 21m 62,5 ±20 - PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SQS460ENW-T1-GE3 SQS460ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 8 32 36m 39 ±20 13 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS482EN-T1-GE3 SQS482EN-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16,4 64 8,5m 62 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS482ENW-T1-GE3 SQS482ENW-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 16 - 7m 62 ±20 26 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS484ENW-T1-GE3 SQS484ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 16 64 6,5m 62,5 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS486CENW-T1-GE3 SQS486CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 18 - 5,1m 62,5 ±20 35,2 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS488CENW-T1-GE3 SQS488CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 16 64 7,9m 39,47 ±20 4 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS660CENW-T1-GE3 SQS660CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 18 72 11,2m 62,5 ±20 17,4 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS840CENW-T1-GE3 SQS840CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12 - 20m 33 ±20 15 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS840EN-T1-GE3 SQS840EN-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 12 48 13,8m 33 ±20 15 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS850EN-T1-GE3 SQS850EN-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 12 48 21,5m 33 ±20 41 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQS940ELNW-T1-GE3 SQS940ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 6 - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQS944ENW-T1-GE3 SQS944ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 40 6 24 25m 27,8 ±20 7,6 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SQS965ELNW-T1-GE3 SQS965ELNW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET x2 -60 - - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQS966ENW-T1-GE3 SQS966ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET x2 60 6 - - - - - PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - - - - -
SQSA80ENW-T1-GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 18 72 21m 62,5 ±20 17 PowerPAK® 1212-8 SMD - - - - TrenchFET® domeniul auto - -
SQSA82CENW-T1-GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 12 35 97,1m 27 ±20 9,6 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQSA84CENW-T1-GE3 SQSA84CENW-T1_GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 16 54 73m 27 ±20 22 PowerPAK® 1212-8 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SQW33N65EF-GE3 SQW33N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 24 95 95m 375 ±30 115 TO247AD THT - - - - - domeniul auto - -
SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 650 34 146 63m 500 ±30 177 TO247AD THT - - - - - domeniul auto - -
SUD08P06-155L-GE3 SUD08P06-155L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8,2 -18 350m 20,8 ±20 19 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -8,8 -15 195m 32,1 ±20 34,8 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 15 25 250m 62 ±20 25 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 11 - 90m 136 ±20 34 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -18,3 -30 120m 38,5 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -8,19 - 60m 2,3 ±20 26 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD19P06-60L-E3 SUD19P06-60L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -19 -30 129m 46 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 13,6 25 66m 41,7 ±20 19,8 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 16,9 25 80m 41,7 ±20 30 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 17,1 - 45m 31,25 ±20 17 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD23N06-31-T4-GE3 SUD23N06-31-T4-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 17,1 50 31m 31,25 ±20 17 DPAK, TO252 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 25 50 145m 136 ±20 40 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD35N10-26P-BE3 SUD35N10-26P-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 35 40 37,5m 83 ±20 47 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 35 40 37,5m 83 ±20 47 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -42 -100 17,5m 50 ±20 112 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 40 60 37m 136 ±20 60 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 40 70 63m 136 ±20 60 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 14 100 8,8m 30,8 ±20 56 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P04-08-BE3 SUD50P04-08-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -50 - 8,1m 73,5 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -50 -100 8,1m 73,5 ±20 159 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -50 -100 17m 136 ±20 150 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15-BE3 SUD50P06-15-BE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -27,5 -80 15m 113 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -50 -80 28m 113 ±20 165 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -50 -80 30m 136 ±20 165 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P06-15L-T4-E3 SUD50P06-15L-T4-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -39 -80 12m 136 ±20 - DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - - - - -
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -50 -40 25,2m 95 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -37,1 -40 43m 95 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -36,4 -40 43m 72,7 ±20 160 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD80460E-GE3 SUD80460E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 42 40 44,7m 65,2 ±20 16 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUD90330E-GE3 SUD90330E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 35,8 70 42,2m 125 ±20 32 DPAK, TO252 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 100 300 6,3m 500 ±20 165 TO247 THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUG90090E-GE3 SUG90090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 100 300 10,4m 395 ±20 129 TO247 THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 63,5 - 31m 125 ±20 57,6 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 87 - 9,5m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110P04-04L-E3 SUM110P04-04L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -110 -240 7,6m 375 ±20 350 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -40 -33 - 5m 375 ±20 280 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -110 -240 13,8m 375 ±20 345 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -110 -200 16m 272 ±20 240 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -110 -120 11,2m 125 ±20 270 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM40010EL-GE3 SUM40010EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 120 300 1,9m 375 ±20 230 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM40012EL-GE3 SUM40012EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 150 300 2,24m 150 ±20 195 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 200 400 1,36m 375 ±20 275 TO263-7 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 45 90 163m 375 ±30 140 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 150 500 2,2m 375 ±20 212 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM50010EL-GE3 SUM50010EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 150 500 1,73m 375 ±20 192 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM50020E-GE3 SUM50020E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 300 2,4m 375 ±20 128 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 300 2,6m 375 ±20 126 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -31 - 41m 125 ±20 115 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 150 500 2,47m 375 ±20 227 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM60030E-GE3 SUM60030E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 0,005 500 3,2m 375 ±20 94 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -150 -250 8,6m 375 ±20 218 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 100 41m 150 ±20 100 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 65 140 84m 375 ±20 130 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 150 500 3,48m 375 ±20 214 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 150 500 3,7m 375 ±20 214 TO263-7 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 120 - 4m 125 ±20 76 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70040M-GE3 SUM70040M-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 120 480 4,6m 375 ±20 120 TO263-7 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 150 200 4,5m 278 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70042M-GE3 SUM70042M-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 0,005 500 3,83m 375 ±20 84 D2PAK, TO263 SMD - - - - TrenchFET® - - -
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 131 240 6,2m 375 ±20 81 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70090E-GE3 SUM70090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -120 -240 15m 375 ±20 190 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 128 240 9m 125 ±20 95 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 85 180 50m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90100E-GE3 SUM90100E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 150 250 12,9m 375 ±20 110 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 75 - 17m 125 ±20 64 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 90 240 16,5m 375 ±20 87 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 64 100 23,5m 230 ±20 48 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 35,1 70 42,2m 125 ±20 32 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 30 90 200 2,7m 250 ±20 257 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 90 240 17m 300 ±20 150 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -90 -90 19m 125 ±20 326 D2PAK, TO263 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 250 36,3 - 32,5m 125 ±20 88 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 120 300 2,1m 375 ±20 230 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP40012EL-GE3 SUP40012EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 40 150 300 2,36m 150 ±20 195 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 150 500 2,5m 375 ±20 212 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 300 2,7m 375 ±20 128 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 120 300 2,8m 375 ±20 126 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -46,8 - 25m 66,7 ±20 76 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP57N20-33 SUP57N20-33-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 33 - 93m 300 ±20 130 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 150 500 2,8m 375 ±20 227 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 80 120 250 3,6m 375 ±20 141 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -80 -150 -250 5,8m 375 ±20 - TO220AB THT tub - - - - - - -
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 150 500 3,84m 375 ±20 214 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP70040E-GE3 SUP70040E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 120 480 4,6m 375 ±20 120 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP70042E-GE3 SUP70042E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 150 200 4,5m 278 ±20 110 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 131 240 6,4m 200 ±20 81 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP70090E-GE3 SUP70090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 50 120 9,3m 125 ±20 50 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -100 -120 -240 15m 375 ±20 190 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 74 - 9,4m 125 ±20 63 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 60 - 10,5m 250 ±20 105 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 100 85 240 22m 250 ±20 160 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP85N15-21-E3 SUP85N15-21-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 150 85 180 55m 300 ±20 110 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 150 250 12,4m 375 ±20 110 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 90 240 18m 375 ±20 96 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 90 240 16,9m 375 ±20 87 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90220E-GE3 SUP90220E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 64 100 23,5m 230 ±20 48 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 200 35,8 70 42,2m 125 ±20 32 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 60 90 240 10m 272 ±20 120 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -67 - 11,8m 250 ±20 240 TO220AB THT tub - - - TrenchFET® - - -
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 240 0,16 - 4 0,23 ±20 4,87 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
TN2404K-T1-GE3 TN2404K-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit N-MOSFET 240 0,16 - 4 0,23 ±20 4,87 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - - -
TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-E3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -0,115 -0,8 9 0,14 ±20 1,7 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - ESD -
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY unipolar îmbogăţit P-MOSFET -60 -0,115 -0,8 9 0,14 ±20 1,7 SOT23 SMD rolă, bandă - - - TrenchFET® - ESD -
logo icon

Transfer Multisort Elektronik S.R.L.

B-dul Regele Carol I, nr 36, Apartament 10
300180 Timişoara, România
RO25222010
Nr. de ordine în registrul comerţului: J35/488/03.03.2009

Contactaţi-ne:
Tel.: +40 356467401
Fax.: +40 356467400
E-mail: [email protected]

Product Information Management: www.parcat.eu