Модулі IGBT фірми ST MICROELECTRONICS

Модулі IGBT фірми ST MICROELECTRONICS, A1C15S12M3, A1P35S12M3, A1P50S65M2, A2C50S65M2 |UK|
Символ Виробник Тип напівпровідникового модуля Структура Urmax Ic Icm Uge Pd Корпус Мех. монтаж Електр. монтаж Топологія Використання
[В] [А] [А] [В] [Вт]
A1C15S12M3 STMicroelectronics IGBT діод/транзистор 1,2к 15 30 ±20 142,8 ACEPACK1 пригвинчуваний Press-in PCB boost chopper, 3-фазни діодний міст, півмісток IGBT x3, термістор NTC інвертор, двигуни
A1P35S12M3 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 1,2к 35 70 ±20 250 ACEPACK1 пригвинчуваний Press-in PCB півмісток IGBT x3, термістор NTC інвертор, двигуни
A1P50S65M2 STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK1 пригвинчуваний Press-in PCB півмісток IGBT x3, термістор NTC інвертор, двигуни
A2C50S65M2 STMicroelectronics IGBT діод/транзистор 650 50 100 ±20 208 ACEPACK2 пригвинчуваний Press-in PCB boost chopper, 3-фазни діодний міст, півмісток IGBT x3, термістор NTC інвертор, двигуни
STGE200NB60S STMicroelectronics IGBT одиночний транзистор 600 150 400 ±20 600 ISOTOP пригвинчуваний пригвинчуваний - -
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics IGBT транзистор/транзистор 650 68 269 ±20 250 ACEPACK SMIT - SMT півмісток IGBT -