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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 900V | |
Courant du collecteur | 27A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 160A | |
Puissance de dissipation | 284W | |
La technologie | POWER MOS 7® | |
Genre de la emballage | tube | |
Montage mécanique | vissés |