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G3R20MT17N

Module; transistor simple; 1,7kV; 70A; SOT227B; vissés; Idm: 300A

Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
G3R20MT17N
Référence TME:
G3R20MT17N

Spécification

Fabricant
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
1,7kV
Courant du drain
70A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
20mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
300A
Puissance de dissipation
523W
La technologie
G3R™, SiC
Genre de canal
enrichi
Tension entrée-source
-5...15V
Montage mécanique
vissés
Poids brut35.44 g
Certificates
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G3R20MT17N
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Méthode d'emballage par le fabricant:Tube = 10 pcs