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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	80V
Courant du drain	200A
Boîtier	APM12-CBA
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	THT
Résistance en état de conduction	2,4mΩ
Tension entrée-source	±20V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXV08A170DB2

Module; transistor/transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Spécification