A1C15S12M3
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
A1C15S12M3
رمز TME:
A1C15S12M3
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | boost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 15A | |
Case | ACEPACK™1 | |
Application | Inverter, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 30A | |
Power dissipation | 142,8W | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي50 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات IGBT STMicroelectronics,
* A1C15S12M3عدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 45.56 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 45.56 EUR
السعر الصافي للكميات من 5 pcs - 40.27 EURالسعر الإجمالي للكميات من 5 pcs - 40.27 EUR
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 38.86 EURالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 38.86 EUR