APTCV60HM45RCT3G
Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W
المصنع: MICROCHIP TECHNOLOGY
علامة الشركة المصنعة:
APTCV60HM45RCT3G
رمز TME:
APTCV60HM45RCT3G
المواصفات
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET / IGBT transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 600V | ||
Drain current | 38A | ||
Case | SP3F | ||
Topology | H-bridge, NTC thermistor, single-phase diode bridge | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 45mΩ | ||
Pulsed drain current | 130A | ||
Power dissipation | 250W | ||
Technology | CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench | ||
Gate-source voltage | ±20V | ||
Mechanical mounting | screw | ||
Collector current | 50A |
الوزن الإجمالي110 g
شهادات
شركة Transfer Multisort Elektronik ش.ذ.م.م. هي مستورد لمنتجات هذه الماركة
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTCV60HM45RCT3Gعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 140.69 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 140.69 EUR
السعر الصافي للكميات من 3 pcs - 125.95 EURالسعر الإجمالي للكميات من 3 pcs - 125.95 EUR
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 111.88 EURالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 111.88 EUR
العرض متاح للعملاء الذين قاموا بتسجيل الدخول