APTGT50H60RT3G
Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост,Н мост
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Обозначение производителя:
APTGT50H60RT3G
Код TME:
APTGT50H60RT3G
Спецификация
Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип полупроводникового модуля | IGBT | |
Конструкция диода | диод/транзистор | |
Топология | 1-фазный диодный мост, Н мост, термистор NTC | |
Обратное напряжение макс. | 0,6кВ | |
Ток коллектора | 50А | |
Корпус | SP3F | |
Применение | фотоэлектрика | |
Электрический монтаж | Press-in PCB | |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
Ток коллектора в импульсе | 100А | |
Технология | Field Stop, Trench | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто110 g
Сертификаты
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. является импортером изделий этой марки
Смотреть остальные продукты этой категории: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3GКоличество штук (Кратность заказа: 14)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 14 pcs - 65.54 USDЦена брутто для количества от 14 pcs - 65.54 USD
Предложение доступно для зарегистрированных клиентов