BGH50N65HS1
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR
Обозначение производителя:
BGH50N65HS1
Код TME:
BGH50N65HS1
Спецификация
Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Тип транзистора | IGBT | |
Технология | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Напряжение коллектор-эмиттер | 650В | |
Ток коллектора | 50А | |
Рассеиваемая мощность | 357Вт | |
Корпус | TO247-3 | |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
Ток коллектора в импульсе | 200А | |
Монтаж | THT | |
Заряд затвора | 308нC | |
Вид упаковки | туба | |
Время включения | 54нс | |
Время выключения | 256нс | |
Характеристики полупроводниковых элементов | integrated anti-parallel diode |
Масса брутто6.26 g
Сертификаты
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. является импортером изделий этой марки
Смотреть остальные продукты этой категории: Транзисторы IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65HS1Количество штук (Кратность заказа: 1)
34 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 11.06 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 11.06 USD
Чистая цена для количества от 5 pcs - 9.94 USDЦена брутто для количества от 5 pcs - 9.94 USD
Чистая цена для количества от 30 pcs - 8.78 USDЦена брутто для количества от 30 pcs - 8.78 USD
Чистая цена для количества от 150 pcs - 7.36 USDЦена брутто для количества от 150 pcs - 7.36 USD
Чистая цена для количества от 600 pcs - 7.10 USDЦена брутто для количества от 600 pcs - 7.10 USD
Продукт доступен только до исчерпания складских запасов
Способ упаковки производителяТубус = 30 pcs