G3R20MT12N
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Производитель: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Обозначение производителя:
G3R20MT12N
Код TME:
G3R20MT12N
Спецификация
Производитель | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 1,2кВ | |
Ток стока | 74А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 20мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 240А | |
Рассеиваемая мощность | 365Вт | |
Технология | G3R™, SiC | |
Вид канала | обогащенный | |
Напряжение затвор-исток | -5...15В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто35.39 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NКоличество штук (Кратность заказа: 1)
95 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 47.18 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 47.18 EUR
Чистая цена для количества от 5 pcs - 45.33 EURЦена брутто для количества от 5 pcs - 45.33 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 44.47 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 44.47 EUR
Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs