IXFN110N85X
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXFN110N85X
Код TME:
IXFN110N85X
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 850В | |
Ток стока | 110А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 33мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 220А | |
Рассеиваемая мощность | 1,17кВт | |
Технология | HiPerFET™, X-Class | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 425нC | |
Время готовности | 205нс | |
Напряжение затвор-исток | ±40В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто37.29 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85XКоличество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 70.49 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 70.49 EUR
Чистая цена для количества от 5 pcs - 65.04 EURЦена брутто для количества от 5 pcs - 65.04 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 62.78 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 62.78 EUR
Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs