IXFN26N100P
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXFN26N100P
Код TME:
IXFN26N100P
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 1кВ | |
Ток стока | 23А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 390мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 65А | |
Рассеиваемая мощность | 595Вт | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 197нC | |
Время готовности | 300нс | |
Напряжение затвор-исток | ±40В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто37.04 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PКоличество штук (Кратность заказа: 1)
6 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 36.30 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 36.30 EUR
Чистая цена для количества от 3 pcs - 32.04 EURЦена брутто для количества от 3 pcs - 32.04 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 28.80 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 28.80 EUR
Продукт доступен только до исчерпания складских запасов
Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs