IXFN32N80P

Name: IXYS IXFN32N80P
Brand: IXYS
SKU: IXFN32N80P
Availability: OutOfStock

Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт

Производитель: IXYS

Обозначение производителя:

IXFN32N80P

Код TME:

IXFN32N80P

Чистая цена для количества от 1 pcs - 25.29 GBPЦена брутто для количества от 1 pcs - 25.29 GBP

Чистая цена для количества от 3 pcs - 22.80 GBPЦена брутто для количества от 3 pcs - 22.80 GBP

Чистая цена для количества от 10 pcs - 20.06 GBPЦена брутто для количества от 10 pcs - 20.06 GBP

Количество штук (Кратность заказа: 1)

Минимальное количество для заказа: 1.
Кратность заказа: 1.

Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs

Производитель	IXYS
Тип полупроводникового модуля	MOSFET транзистор
Конструкция диода	одиночный транзистор
Напряжение сток-исток	800В
Ток стока	29А
Корпус	SOT227B
Электрический монтаж	винтами
Полярность	полевой
Сопротивление в открытом состоянии	0,27Ом
Ток стока в импульсном режиме	250А
Рассеиваемая мощность	625Вт
Технология	HiPerFET™, PolarHV™
Вид канала	обогащенный
Заряд затвора	150нC
Время готовности	250нс
Напряжение затвор-исток	±40В
Механический монтаж	винтами