IXFN38N100P

Name: IXYS IXFN38N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFN38N100P
Availability: OutOfStock

Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А

Производитель: IXYS

Обозначение производителя:

IXFN38N100P

Код TME:

IXFN38N100P

Чистая цена для количества от 1 pcs - 46.04 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 46.04 USD

Чистая цена для количества от 10 pcs - 43.15 USDЦена брутто для количества от 10 pcs - 43.15 USD

Количество штук (Кратность заказа: 1)

Минимальное количество для заказа: 1.
Кратность заказа: 1.

Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs

Производитель	IXYS
Тип полупроводникового модуля	MOSFET транзистор
Конструкция диода	одиночный транзистор
Напряжение сток-исток	1кВ
Ток стока	38А
Корпус	SOT227B
Электрический монтаж	винтами
Полярность	полевой
Сопротивление в открытом состоянии	0,21Ом
Ток стока в импульсном режиме	120А
Рассеиваемая мощность	1кВт
Технология	HiPerFET™, Polar™
Вид канала	обогащенный
Заряд затвора	0,35мкC
Время готовности	300нс
Напряжение затвор-исток	±40В
Механический монтаж	винтами