IXFN66N85X
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXFN66N85X
Код TME:
IXFN66N85X
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 850В | |
Ток стока | 65А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 65мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 140А | |
Рассеиваемая мощность | 830Вт | |
Технология | HiPerFET™, X-Class | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 230нC | |
Время готовности | 250нс | |
Напряжение затвор-исток | ±40В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто37.04 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85XКоличество штук (Кратность заказа: 1)
1 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 38.88 GBPЦена брутто для количества от 1 pcs - 38.88 GBP
Чистая цена для количества от 3 pcs - 34.35 GBPЦена брутто для количества от 3 pcs - 34.35 GBP
Чистая цена для количества от 10 pcs - 30.83 GBPЦена брутто для количества от 10 pcs - 30.83 GBP
Способ упаковки производителяРулон = 10 pcs