IXGN100N170
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXGN100N170
Код TME:
IXGN100N170
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | IGBT | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Обратное напряжение макс. | 1,7кВ | |
Ток коллектора | 95А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
Ток коллектора в импульсе | 600А | |
Рассеиваемая мощность | 735Вт | |
Технология | NPT | |
Характеристики полупроводниковых элементов | высоковольтный | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто37.13 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Модули IGBT IXYS,
* IXGN100N170Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 68.71 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 68.71 USD
Чистая цена для количества от 10 pcs - 63.35 USDЦена брутто для количества от 10 pcs - 63.35 USD
Чистая цена для количества от 20 pcs - 58.81 USDЦена брутто для количества от 20 pcs - 58.81 USD
Чистая цена для количества от 30 pcs - 54.73 USDЦена брутто для количества от 30 pcs - 54.73 USD
Чистая цена для количества от 40 pcs - 53.92 USDЦена брутто для количества от 40 pcs - 53.92 USD
Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs