IXTN200N10L2
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXTN200N10L2
Код TME:
IXTN200N10L2
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 100В | |
Ток стока | 178А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 11мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 500А | |
Рассеиваемая мощность | 830Вт | |
Технология | Linear L2™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 540нC | |
Время готовности | 245нс | |
Напряжение затвор-исток | ±30В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто29.6 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 45.46 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 45.46 EUR
Чистая цена для количества от 100 pcs - 40.27 EURЦена брутто для количества от 100 pcs - 40.27 EUR
Способ упаковки производителяТубус = 20 pcs