IXTN210P10T
Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXTN210P10T
Код TME:
IXTN210P10T
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | -100В | |
Ток стока | -210А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 7,5мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | -800А | |
Рассеиваемая мощность | 830Вт | |
Технология | TrenchP™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 740нC | |
Время готовности | 200нс | |
Напряжение затвор-исток | ±15В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто37.13 g
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10TКоличество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 48.91 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 48.91 USD
Чистая цена для количества от 10 pcs - 45.83 USDЦена брутто для количества от 10 pcs - 45.83 USD
Способ упаковки производителяТубус = 10 pcs