IXTN80N30L2
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXTN80N30L2
Код TME:
IXTN80N30L2
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 300В | |
Ток стока | 80А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 38мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 200А | |
Рассеиваемая мощность | 735Вт | |
Технология | Linear L2™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 660нC | |
Время готовности | 485нс | |
Напряжение затвор-исток | ±30В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто30 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXTN80N30L2Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 37.34 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 37.34 EUR
Чистая цена для количества от 3 pcs - 33.64 EURЦена брутто для количества от 3 pcs - 33.64 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 29.75 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 29.75 EUR