STGAP2SICSANCTR
IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1
Производитель: STMicroelectronics
Обозначение производителя:
STGAP2SICSANCTR
Код TME:
STGAP2SICSANCTR
Спецификация
Производитель | STMicroelectronics | |
Тип микросхемы | driver | |
Вид микросхемы | контроллер затвора SiC MOSFET | |
Корпус | SO8 | |
Выходной ток | -4...4А | |
Выходное напряжение | 1,7кВ | |
Кол-во каналов | 1 | |
Характеристики интегральных схем | гальваническая развязка | |
Монтаж | SMD | |
Рабочая температура | -40...125°C | |
Вид упаковки | бобина, лента |
Напряжение питания
- 3,1...5,25В
Масса брутто1 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Драйверы MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRКоличество штук (Кратность заказа: 2 500)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 2500 pcs - 0.88 EURЦена брутто для количества от 2500 pcs - 0.88 EUR