A2C50S65M2
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
A2C50S65M2
رمز TME:
A2C50S65M2
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | boost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge | |
Max. off-state voltage | 650V | |
Collector current | 50A | |
Case | ACEPACK™2 | |
Application | Inverter, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 100A | |
Power dissipation | 208W | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي50 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات IGBT STMicroelectronics,
* A2C50S65M2عدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 66.72 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 66.72 EUR