APT35GP120B2D2G
Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
المصنع: MICROCHIP TECHNOLOGY
علامة الشركة المصنعة:
APT35GP120B2D2G
رمز TME:
APT35GP120B2D2G
المواصفات
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of transistor | IGBT | |
Technology | POWER MOS 7®, PT | |
Collector-emitter voltage | 1,2kV | |
Collector current | 46A | |
Power dissipation | 543W | |
Case | T-Max | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 140A | |
Mounting | THT | |
Gate charge | 150nC | |
Kind of package | tube | |
Turn-on time | 36ns | |
Turn-off time | 0,22µs | |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
الوزن الإجمالي6 g
شهادات
شركة Transfer Multisort Elektronik ش.ذ.م.م. هي مستورد لمنتجات هذه الماركة
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: ترانزستورات IGBT THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT35GP120B2D2Gعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 27.94 USDالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 27.94 USD
السعر الصافي للكميات من 3 pcs - 25.14 USDالسعر الإجمالي للكميات من 3 pcs - 25.14 USD
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 22.23 USDالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 22.23 USD
العرض متاح للعملاء الذين قاموا بتسجيل الدخول