APTGT50H60RT3G
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; SP3F
المصنع: MICROCHIP TECHNOLOGY
علامة الشركة المصنعة:
APTGT50H60RT3G
رمز TME:
APTGT50H60RT3G
المواصفات
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | H-bridge, NTC thermistor, single-phase diode bridge | |
Max. off-state voltage | 0,6kV | |
Collector current | 50A | |
Case | SP3F | |
Application | photovoltaics | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 100A | |
Technology | Field Stop, Trench | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي110 g
شهادات
شركة Transfer Multisort Elektronik ش.ذ.م.م. هي مستورد لمنتجات هذه الماركة
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3Gعدد القطع (المضاعف: 14)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 14 pcs - 65.54 USDالسعر الإجمالي للكميات من 14 pcs - 65.54 USD
العرض متاح للعملاء الذين قاموا بتسجيل الدخول