IXFN200N10P
Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN200N10P
رمز TME:
IXFN200N10P
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 100V | |
Drain current | 200A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 7,5mΩ | |
Pulsed drain current | 400A | |
Power dissipation | 680W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 235nC | |
Reverse recovery time | 150ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.04 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10Pعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 27.41 USDالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 27.41 USD
السعر الصافي للكميات من 5 pcs - 24.35 USDالسعر الإجمالي للكميات من 5 pcs - 24.35 USD
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 23.50 USDالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 23.50 USD
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs