IXFN20N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN20N120P
رمز TME:
IXFN20N120P
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 20A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 570mΩ | |
Pulsed drain current | 50A | |
Power dissipation | 595W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 193nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.11 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120Pعدد القطع (المضاعف: 1)
17 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 16.21 USDالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 16.21 USD
السعر الصافي للكميات من 3 pcs - 15.46 USDالسعر الإجمالي للكميات من 3 pcs - 15.46 USD
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 15.42 USDالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 15.42 USD
المنتج متوفر فقط حتى نفاد المخزون
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs