IXFN210N20P
Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN210N20P
رمز TME:
IXFN210N20P
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 200V | |
Drain current | 188A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 10,5mΩ | |
Pulsed drain current | 600A | |
Power dissipation | 1,07kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 255nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.01 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20Pعدد القطع (المضاعف: 1)
291 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 41.07 USDالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 41.07 USD
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 39.55 USDالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 39.55 USD
السعر الصافي للكميات من 20 pcs - 38.14 USDالسعر الإجمالي للكميات من 20 pcs - 38.14 USD
السعر الصافي للكميات من 50 pcs - 36.62 USDالسعر الإجمالي للكميات من 50 pcs - 36.62 USD
السعر الصافي للكميات من 100 pcs - 35.22 USDالسعر الإجمالي للكميات من 100 pcs - 35.22 USD
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs