IXFN26N100P
Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN26N100P
رمز TME:
IXFN26N100P
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 23A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 390mΩ | |
Pulsed drain current | 65A | |
Power dissipation | 595W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 197nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.04 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100Pعدد القطع (المضاعف: 1)
6 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 36.31 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 36.31 EUR
السعر الصافي للكميات من 3 pcs - 32.04 EURالسعر الإجمالي للكميات من 3 pcs - 32.04 EUR
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 28.81 EURالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 28.81 EUR
المنتج متوفر فقط حتى نفاد المخزون
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs