IXFN32N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN32N120P
رمز TME:
IXFN32N120P
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 32A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,31Ω | |
Pulsed drain current | 100A | |
Power dissipation | 1kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 360nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.27 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120Pعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 95.29 USDالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 95.29 USD
السعر الصافي للكميات من 3 pcs - 84.17 USDالسعر الإجمالي للكميات من 3 pcs - 84.17 USD
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 75.62 USDالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 75.62 USD
المنتج قليل التوفر
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs