STGAP2SICSANCTR
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
STGAP2SICSANCTR
رمز TME:
STGAP2SICSANCTR
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of integrated circuit | driver | |
Kind of integrated circuit | SiC MOSFET gate driver | |
Case | SO8 | |
Output current | -4...4A | |
Output voltage | 1,7kV | |
Number of channels | 1 | |
Integrated circuit features | galvanically isolated | |
Mounting | SMD | |
Operating temperature | -40...125°C | |
Kind of package | reel, tape |
Supply voltage
- 3,1...5,25V
الوزن الإجمالي1 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات تشغيل MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSANCTRعدد القطع (المضاعف: 2 500)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 2500 pcs - 1.02 USDالسعر الإجمالي للكميات من 2500 pcs - 1.02 USD