STGAP2SICSCTR
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
STGAP2SICSCTR
رمز TME:
STGAP2SICSCTR
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of integrated circuit | driver | |
Kind of integrated circuit | SiC MOSFET gate driver | |
Case | SO8-W | |
Output current | -4...4A | |
Output voltage | 1,2kV | |
Number of channels | 1 | |
Integrated circuit features | galvanically isolated | |
Mounting | SMD | |
Operating temperature | -40...125°C | |
Kind of package | reel, tape |
Supply voltage
- 3,1...5,5V
الوزن الإجمالي1 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات تشغيل MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRعدد القطع (المضاعف: 1 000)
0 في مستودع TME
المنتج على طلب خاص