STGSH80HB65DAG
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
STGSH80HB65DAG
رمز TME:
STGSH80HB65DAG
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT half-bridge | |
Max. off-state voltage | 650V | |
Collector current | 68A | |
Case | ACEPACK SMIT | |
Electrical mounting | SMT | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 269A | |
Power dissipation | 250W |
الوزن الإجمالي2 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات IGBT STMicroelectronics,
* STGSH80HB65DAGعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 16.27 GBPالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 16.27 GBP