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Hersteller	POWER INTEGRATIONS
Typ des Halbleitermoduls	gate driver board
Topologie	IGBT Halbbrücke, MOSFET Halbbrücke
Montage	Stiftleiste
Betriebstemperatur	-40...85°C
Technologie	SCALE™-2+
Spannungsklasse	1,7kV
Frequenz	0,1MHz
Ausgangsstrom	35A
Ausgangs-Art	Steuerung IGBT

2SC0435T2F1-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Technische Daten