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2SC0650P2C0-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Hersteller: POWER INTEGRATIONS

Kennzeichnung des Herstellers:
2SC0650P2C0-17
Symbol TME:
2SC0650P2C0-17

Technische Daten

Hersteller
POWER INTEGRATIONS
Typ des Halbleitermoduls
gate driver board
Topologie
IGBT Halbbrücke, MOSFET Halbbrücke
Anwendung
for medium and high power application
Montage
Stiftleiste
Betriebstemperatur
-40...85°C
Technologie
SCALE™-2
Spannungsklasse
1,7kV
Frequenz
150kHz
Ausgangsstrom
50A
Ausgangs-Art
Steuerung IGBT
Versorgungsspannung
  • 14,5...15,5V DC
Eigenschafte integrierter Schaltkreise
  • galvanische Trennung
  • integrierter DC/DC Wandler
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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2SC0650P2C0-17
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