A2P75S12M3
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 75A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
A2P75S12M3
Symbol TME:
A2P75S12M3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | |
Gehäuse | ACEPACK™2 | |
Anwendung | Motoren, Wechselrichter | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 150A | |
Verlustleistung | 454,5W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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