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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	106A
Gehäuse	ISOTOP
Topologie	boost chopper
Elektrische Montage	schraubbar
Widerstand im Leitungszustand	11mΩ
Drainstrom im Impuls	576A
Verlustleistung	450W
Technologie	POWER MOS 5®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APT10M11JVRU2

Modul; Diode/Transistor; 100V; 106A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 576A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke