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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	300V
Drainstrom	130A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	19mΩ
Drainstrom im Impuls	520A
Verlustleistung	700W
Technologie	POWER MOS V®
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

APT30M19JVFR

Modul; einzelner Transistor; 300V; 130A; ISOTOP; schraubbar; 700W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke