APT32M80J
Modul; einzelner Transistor; 800V; 20A; ISOTOP; schraubbar; 543W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT32M80J
Symbol TME:
APT32M80J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 800V | ||
Drainstrom | 20A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,19Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 173A | ||
Verlustleistung | 543W | ||
Technologie | POWER MOS 8® | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* APT32M80JAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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