APT35GP120J
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT35GP120J
Symbol TME:
APT35GP120J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 29A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 140A | |
Technologie | POWER MOS 7®, PT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.43 g
Zertifikate
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* APT35GP120JAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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