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Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 32A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 160A | |
Technologie | POWER MOS 7®, PT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |