APT46GA90JD40
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT46GA90JD40
Symbol TME:
APT46GA90JD40
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 46A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Anwendung | für UPS | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 136A | |
Technologie | POWER MOS 8®, PT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* APT46GA90JD40Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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